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NVMYS7D3N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 52 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: NVMYS7D3N04CLTWG
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMYS7D3N04CLTWG

NVMYS7D3N04CLTWG概述


    产品简介


    本文介绍的是由ON Semiconductor生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为NVMYS7D3N04CL。这款单管MOSFET的主要功能是作为电源开关,在各种电力转换应用中提供高效的电能控制。它的关键优势在于小体积(5x6mm)设计,低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗,低寄生电容以降低驱动损耗,以及符合行业标准的LFPAK4封装。此外,该器件通过了AEC-Q101认证,并且能够实现无铅(Pb-Free)生产,符合RoHS标准。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 40 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | 52 | A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | 38 | W |
    | 单脉冲漏极电流 | IDM | 269 | A |
    | 工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +175 | °C |
    | 突破压(ID=250μA时) | V(BR)DSS | 40 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | 10 | μA |
    | 开启电压(ID=30μA时) | VGS(TH)| 1.2 | V |
    | 导通电阻(VGS=10V时) | RDS(on)| 7.3 | mΩ |

    产品特点和优势


    NVMYS7D3N04CL具有多种优势,包括紧凑的设计(5x6mm),使得它可以在有限的空间内提供高性能;低导通电阻(7.3mΩ)可大大降低在高电流运行时的功率损耗;以及低寄生电容有助于减少驱动损耗,从而提高整体效率。此外,该器件已经通过了AEC-Q101认证,适用于汽车和其他要求高可靠性的应用场景。

    应用案例和使用建议


    这种类型的MOSFET广泛应用于电源管理、电机控制、电池充电电路等领域。例如,在电机控制系统中,可以通过调节MOSFET来精确控制电机的转速和扭矩。使用时应注意选择合适的驱动电路,以确保足够的栅极电压和驱动电流。对于高温环境下工作的情况,建议增加散热措施以确保器件稳定工作。

    兼容性和支持


    NVMYS7D3N04CL与市场上主流的电源管理系统和其他电子设备具有良好的兼容性。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源、电话技术支持等。用户可以通过访问官方网站获取最新的技术支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备发热严重
    - 解决方案: 使用适当的散热器或冷却系统以增强散热效果,同时确保正确的安装和接线方式。

    - 问题:无法正常启动
    - 解决方案: 检查驱动电路是否正确配置,特别是确保有足够的栅极电压。若有必要,检查是否存在任何外部因素干扰。

    - 问题:设备过热保护激活
    - 解决方案: 检查系统中是否存在过载情况,并适当调整负载以避免长时间处于高负荷状态。

    总结和推荐


    综上所述,NVMYS7D3N04CL MOSFET凭借其高效能、低成本及易于集成的特点,在众多电力转换应用中展现出卓越的表现。无论是对空间有严格限制的应用还是需要高度可靠性的工业级应用,此款MOSFET都是理想的选择。鉴于其出色的性能和可靠性,强烈推荐用于上述应用场景。

NVMYS7D3N04CLTWG参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 1.8nC@ 10V
Id-连续漏极电流 17A,52A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 30µA
Rds(On)-漏源导通电阻 7.3mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.8W(Ta),38W(Tc)
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 860pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 5mm(长度)
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMYS7D3N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMYS7D3N04CLTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMYS7D3N04CLTWG NVMYS7D3N04CLTWG数据手册

NVMYS7D3N04CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 5.7154
750+ ¥ 5.5443
1500+ ¥ 5.3776
3000+ ¥ 3.2163
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