处理中...

首页  >  产品百科  >  NSBA124XF3T5G

NSBA124XF3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA PNP - 预偏压 297W 500nA 50V 100mA SOT-1123 贴片安装
供应商型号: CY-NSBA124XF3T5G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA124XF3T5G

NSBA124XF3T5G概述

    数字晶体管(BRT)技术手册
    本技术手册介绍了一种集成偏置电阻网络的数字晶体管系列——Bias Resistor Transistor(BRT)。这类数字晶体管旨在替代单一晶体管及其外部电阻偏置网络。通过将两个电阻——串联基极电阻和发射极-基极电阻集成在一个单一封装内,这些BRT显著简化了电路设计,减少了板级空间需求,降低了组件数量。

    产品简介


    这些数字晶体管专为需要单一设备及其外部电阻偏置网络替代的应用而设计。它们包括单个晶体管和一个集成的偏置电阻网络,由两个电阻组成:串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些BRT的主要优势在于能够简化电路设计、减少占用的板级空间并降低所需的组件数量。

    技术参数


    以下是该系列数字晶体管的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 50 | Vdc |
    | 集电极电流(连续) | IC | 100 | mAdc |
    | 输入正向电压 | VIN(fwd) | 40 | Vdc |
    | 输入反向电压 | VIN(rev) | 7 | Vdc |
    其他重要的电气特性和热特性也包含在技术手册中,详情请参考完整的电气特性表和热特性表。

    产品特点和优势


    1. 简化电路设计:通过集成偏置电阻,减少了外部分立元件的需求。
    2. 减少板级空间:集成封装结构节省了PCB的空间。
    3. 降低组件数量:整合了多个独立部件的功能,减少了总体组件数量。
    4. 符合行业标准:具备汽车和工业应用要求的认证,如AEC-Q101资格认证。
    5. 环保材料:无铅、无卤素且RoHS合规,适用于绿色生产要求。

    应用案例和使用建议


    - 汽车应用:利用其符合AEC-Q101标准的特性,适合用于汽车电子控制单元(ECU)的设计。
    - 工业自动化:在工厂自动化系统中,BRT可用于信号放大和开关控制。
    - 消费电子产品:在家庭自动化和便携式电子设备中,BRT能够帮助减小体积和成本。
    使用时应注意匹配合适的散热措施,确保不会超过额定功率和温度限制。建议使用厂商提供的配套软件工具进行电路设计和验证。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些数字晶体管可与其他符合相应尺寸和引脚配置的集成电路兼容。
    - 支持:厂商提供了详细的文档和支持服务,包括电路设计指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行导致过热
    - 解决办法:确保良好的散热设计,例如使用散热片或增加散热路径。
    - 问题:输出电压不稳定
    - 解决办法:检查输入电压和负载条件,调整偏置电阻以稳定输出电压。

    总结和推荐


    总结而言,这些Bias Resistor Transistor凭借其独特的集成设计、简化电路设计的优势以及环境友好型材料,成为了许多高可靠性应用的理想选择。对于希望在设计中提高效率、降低成本和减少复杂性的工程师来说,强烈推荐考虑使用这些BRT。
    请注意,实际应用时应严格遵循手册中的操作和安全指导,以确保产品的最佳性能和长期可靠性。

NSBA124XF3T5G参数

参数
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA @ 10mA
配置 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
晶体管类型 PNP - 预偏压
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大功率耗散 297W
集电极截止电流 500nA
650μm(Max)
850μm(Max)
400μm(Max)
通用封装 SOT-1123
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBA124XF3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA124XF3T5G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBA124XF3T5G NSBA124XF3T5G数据手册

NSBA124XF3T5G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.0388 ¥ 0.3281
5000+ $ 0.0388 ¥ 0.3281
库存: 306356
起订量: 3048 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 328.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886