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FQPF6N80C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=800 V, 5.5 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 14M-FQPF6N80C
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF6N80C

FQPF6N80C概述


    产品简介


    FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET® MOSFET 是一款增强型功率MOSFET,采用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别设计用于减少导通电阻,提供出色的开关性能及高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、主动功率因数校正(PFC)以及电子灯镇流器等领域。

    技术参数


    基本电气特性
    - 漏源电压(VDSS):800V
    - 连续漏电流(TC=25°C):5.5A
    - 连续漏电流(TC=100°C):3.2A
    - 脉冲漏电流(IDM):22A
    - 栅源电压(VGSS):±30V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):680mJ
    - 雪崩电流(IAR):5.5A
    - 重复雪崩能量(EAR):15.8mJ
    - 峰值二极管恢复(dv/dt):4.5V/ns
    - 功耗(TC=25°C):158W
    热特性
    - 热阻(RθJC):最大0.79°C/W
    - 热阻(RθCS):典型值0.5°C/W
    - 热阻(RθJA):最大62.5°C/W
    绝对最大额定值
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:最大2.5Ω(在VGS=10V, ID=2.75A时),可以显著降低电路中的损耗。
    2. 低门极电荷:典型值21nC,有助于降低驱动损耗。
    3. 高雪崩能量强度:680mJ的单脉冲雪崩能量,提高了可靠性。
    4. 低反向传输电容:典型值8pF,有利于高频应用。
    5. 高温性能稳定:最大结温可达150°C,适合恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源:由于低导通电阻和优秀的开关性能,FQP6N80C / FQPF6N80C 可以显著提高转换效率。
    - 功率因数校正:高雪崩能量强度使得它能够处理瞬态过压,适用于工业级PFC应用。
    - 电子灯镇流器:在高频应用中表现出色,可实现高效能的照明控制。
    使用建议:
    - 散热设计:由于热阻较高,建议使用大尺寸散热片或加装散热风扇,以保证器件长期稳定运行。
    - 驱动电路:建议采用专用驱动芯片,以确保快速且稳定的开关过程。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET采用标准的TO-220封装,与市面上常见的散热片和其他附件具有良好的兼容性。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免器件过热?
    - 解决方案:增加散热措施,如加大散热片面积或添加散热风扇,同时优化电路设计,降低功耗。
    2. 问题:在高频应用中,如何减少开关损耗?
    - 解决方案:使用低门极电荷的驱动电路,优化栅极驱动信号,确保快速且稳定的开关过程。
    3. 问题:如何提升雪崩耐受能力?
    - 解决方案:确保PCB设计中电源和地线走线尽可能短,减小寄生电感,从而减少瞬态过压的影响。

    总结和推荐


    总结:
    FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET® MOSFET是一款高度可靠且性能优越的功率MOSFET,适用于多种应用场合。其优异的热稳定性、低导通电阻及高雪崩能量强度使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高性能功率MOSFET的应用中使用FQP6N80C / FQPF6N80C。确保合理的设计和散热措施是发挥其最大效能的关键。

FQPF6N80C参数

参数
Id-连续漏极电流 5.5A
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 30nC@ 10V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω@ 2.75A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.31nF@25V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
最大功率耗散 51W(Tc)
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQPF6N80C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF6N80C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF6N80C FQPF6N80C数据手册

FQPF6N80C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 10.2439
10+ ¥ 9.18
30+ ¥ 8.0605
100+ ¥ 7.8366
300+ ¥ 7.5366
1000+ ¥ 7.3171
库存: 199
起订量: 1 增量: 50
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