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NVTFS6H880NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),31W(Tc) 20V 4V@ 20µA 6.9nC@ 10 V 1个N沟道 80V 32mΩ@ 5A,10V 22A 370pF@40V DFN 贴片安装
供应商型号: 863-NVTFS6H880NTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS6H880NTAG

NVTFS6H880NTAG概述


    产品简介


    产品类型: MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能: 用于电源管理和开关控制,具有低导通电阻和小封装等特点。
    应用领域: 广泛应用于汽车电子、工业自动化、消费电子等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDSS): 80V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 21A(环境温度25°C时);14A(环境温度100°C时)
    - 最大功率耗散 (PD): 31W(环境温度25°C时);16W(环境温度100°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 80A
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 栅极至源极电容 (Ciss): 370pF
    - 输入电容 (Coss): 55pF
    - 阈值电荷 (QG(TH)): 1.5nC
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 6.9nC
    - 导通延迟时间 (td(on)): 7ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 15ns
    - 反向恢复时间 (tRR): 27ns
    - 反向恢复电荷 (QRR): 20nC
    - 封装类型: WDFN8 3.3x3.3, 0.65P (带湿可焊侧)

    产品特点和优势


    1. 小封装: 3.3mm x 3.3mm 的小尺寸设计,便于紧凑型应用。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)): 最大仅为 32mΩ,有助于减少导通损耗。
    3. 低电容: 有助于减少驱动损耗,提高效率。
    4. AEC-Q101 认证: 满足汽车行业标准,可靠性高。
    5. 无铅且符合RoHS: 符合环保要求,适用于各种行业。

    应用案例和使用建议


    应用案例: 此MOSFET常用于电动汽车的电池管理系统、电动工具及高效电源转换设备中。它可以帮助降低功耗,提升系统效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免因过热导致的损坏。
    - 应用在开关电源时,可以结合合适的门极驱动电路,以优化开关时间和降低损耗。
    - 鉴于其较小的封装尺寸,应注意焊接工艺和材料选择,以确保良好的电气连接和机械强度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 可与多种微控制器和其他驱动电路兼容,具体请参考相关文档。
    - 支持: 安森美提供详尽的技术文档和在线支持,包括产品选型指南、电气特性说明及应用笔记等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温环境下导通电阻变大。
    - 解决方案: 使用更好的散热设计,如增加散热片或采用强制风冷方式。

    2. 问题: 开关频率过高时发热严重。
    - 解决方案: 选择更低电容的同类产品,或在电路设计上增加缓冲电路来降低开关损耗。
    3. 问题: 焊接时出现焊接不良。
    - 解决方案: 确保焊接设备和工艺正确,焊料和PCB质量良好,焊接过程保持适当的温度曲线。

    总结和推荐


    总结: NVTFS6H880N 是一款性能优异的MOSFET,具有小封装、低导通电阻、高可靠性等显著优势,适用于多种应用场景,特别是在需要高效率和紧凑设计的应用中表现突出。
    推荐: 强烈推荐给对电源管理及开关控制有较高需求的工程师和制造商。安森美的技术支持和丰富的产品文档也将为用户的选型和应用带来便利。

NVTFS6H880NTAG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 20µA
Id-连续漏极电流 22A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 370pF@40V
最大功率耗散 3.1W(Ta),31W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 6.9nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS6H880NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS6H880NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS6H880NTAG NVTFS6H880NTAG数据手册

NVTFS6H880NTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.874 ¥ 7.3853
10+ $ 0.6072 ¥ 5.1308
100+ $ 0.3861 ¥ 3.2625
500+ $ 0.2905 ¥ 2.4549
1000+ $ 0.1998 ¥ 1.6883
1500+ $ 0.1944 ¥ 1.6427
3000+ $ 0.1868 ¥ 1.5788
9000+ $ 0.1796 ¥ 1.5172
库存: 899
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