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MJD50

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: NPN 1.56W 5V 200μA 500V 400V 1A TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
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标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) MJD50

MJD50概述

    MJD47, NJVMJD47T4G, MJD50, NJVMJD50T4G 高压功率晶体管

    1. 产品简介


    MJD47、NJVMJD47T4G、MJD50 和 NJVMJD50T4G 是一系列高压 NPN 硅功率晶体管,设计用于线操作音频输出放大器、开关电源驱动器以及其他切换应用。这些晶体管具有较高的集电极-发射极电压(最高可达 400V),适用于需要高电压处理能力的应用场合。它们的特点在于铅(Pb)- Free 并且符合 RoHS 规范,因此适合在无铅和环保环境中使用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 250V(MJD47, NJVMJD47T4G),400V(MJD50, NJVMJD50T4G)
    - 集电极-基极电压 (VCB): 350V(MJD47, NJVMJD47T4G),500V(MJD50, NJVMJD50T4G)
    - 发射极-基极电压 (VEB): 5V
    - 集电极电流 (IC): 1A
    - 基极电流 (IB): 0.6A
    - 最大功耗 (PD):
    - 在 Tj = 25°C 时为 15W
    - 在 Ta = 25°C 时为 1.56W
    - 工作和存储结温范围 (TJ, Tstg): -65 至 +150°C
    - ESD 人体模型 HBM: 3B V
    - ESD 机器模型 MM: CV
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻 (RJC): 8.33°C/W
    - 结到环境热阻 (RJA): 80°C/W
    - 焊接目的引线温度 (TL): 260°C

    3. 产品特点和优势


    - 铅(Pb)- Free 和 RoHS 合规: 这些产品不含铅,并且符合 RoHS 标准,适用于对环保要求高的应用场景。
    - 类似流行型号的电气特性: 这些设备在电气特性上与流行的 TIP47 和 TIP50 类似,方便用户替换。
    - 环氧树脂 UL 94 V-0 等级: 这种等级确保了产品的防火性能。
    - 汽车和其他应用: NJV 前缀的产品经过 AEC-Q101 资格认证,并且可以提供 PPAP 支持,适合汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    这些高压功率晶体管广泛应用于线操作音频输出放大器、开关电源驱动器以及其他切换应用。具体应用场景包括音频系统中的功率放大部分,电源管理中的开关电源电路,以及各类工业和消费电子产品中的切换控制。
    使用建议:
    - 确保晶体管的工作条件不超过其额定的最大电压和电流限制。
    - 使用散热器或其他有效的散热方法来控制工作温度,以避免过热导致的可靠性问题。
    - 遵循推荐的焊接温度和时间,以确保焊接质量和引线的良好连接。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管具有多种封装形式(如 DPAK),并且通过了 AEC-Q101 资格认证,因此它们适用于汽车和其他需要高可靠性的应用场景。供应商提供了详尽的技术支持和文档资料,帮助用户正确安装和使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 晶体管在高电流下温度过高。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以降低工作温度。
    - 问题: 晶体管在工作过程中出现异常行为。
    - 解决方案: 确认工作条件是否超出额定范围,并根据数据手册检查可能的原因,如过电压或过电流。
    - 问题: 晶体管寿命短。
    - 解决方案: 定期进行温度监测和维护,确保工作环境符合要求。

    7. 总结和推荐


    MJD47, NJVMJD47T4G, MJD50, NJVMJD50T4G 高压功率晶体管以其广泛的适用性、优良的电气特性和高度的可靠性,在各种电力应用中表现出色。特别是对于需要高电压处理能力和环保标准的应用,这些产品是理想的选择。综上所述,强烈推荐这些产品给需要高性能和高可靠性的应用场合。

MJD50参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 200mA,1A
集电极电流 1A
VCBO-最大集电极基极电压 500V
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
晶体管类型 NPN
配置 独立式
最大功率耗散 1.56W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 200μA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

MJD50厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MJD50数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR MJD50 MJD50数据手册

MJD50封装设计

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