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FDPF20N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=500 V, 20 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: CY-FDPF20N50
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF20N50

FDPF20N50概述


    产品简介


    产品类型:
    N-Channel UniFETTM MOSFET
    主要功能:
    这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),支持高电压和大电流输出,适用于多种电力转换应用。具备高耐压能力和优良的开关性能,适合用于电源管理、显示技术和不间断电源系统。
    应用领域:
    - LCD/LED/PDP电视
    - 照明设备
    - 不间断电源(UPS)
    - 交流到直流电源适配器
    - 电源因数校正(PFC)
    - 扁平面板显示器(FPD)电视电源
    - ATX电源
    - 电子灯管镇流器

    技术参数


    电气特性:
    - VDS(漏源电压): 500 V
    - 连续漏极电流: TC = 25°C时为20 A,TC = 100°C时为12.9 A
    - 脉冲漏极电流: 80 A
    - 栅极-源极电压: ±30 V
    - 单脉冲雪崩能量: 1110 mJ
    - 栅极电荷: 典型值45.6 nC
    - 输入电容: 2400 至 3120 pF
    - 输出电容: 355 至 465 pF
    - 反向传输电容: 27 pF
    - 最大功率耗散: TC = 25°C时为250 W
    温度特性:
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 最大焊接温度: 300°C,从外壳1/8"处算起
    热阻抗:
    - 热阻,结到壳: 最大值0.5°C/W (FDP20N50),3.3°C/W (FDPF20N50/FDPF20N50T)
    - 热阻,结到环境: 最大值62.5°C/W

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 极低的导通电阻(典型值0.20Ω),可有效降低功耗。
    - 低栅极电荷和小的输入、输出和反向传输电容,有助于提高电路的整体效率。
    - 高重复雪崩能量,提升了系统的可靠性。
    优势:
    - 在功率因数校正和高频逆变器等应用中表现出色,提供优异的开关性能。
    - 高耐用性和稳定性,特别适合工业和消费电子产品中的应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源适配器: 这款MOSFET可以用于笔记本电脑或手机充电器中,以提高整体能效。
    - LED照明: 可应用于LED灯具,提供更高的能效和更好的开关控制。
    - 显示技术: 如LCD和LED电视,以实现高效节能。
    使用建议:
    - 在设计电路时需考虑散热措施,确保温度不超过最大允许值,防止热过载。
    - 在高频应用中,要优化布局,减少寄生电容和电感的影响。
    - 结合外部电路保护措施,如保险丝和瞬态抑制二极管,以提升系统整体的安全性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET支持标准的TO-220和TO-220F封装,可以方便地集成到各种电路板设计中。
    - 具有良好的与现有系统的兼容性,便于替代和升级。
    支持:
    - 提供详细的技术手册和应用指南,帮助用户更好地了解和使用该产品。
    - 客户技术支持和应用咨询,确保在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题: 开关速度慢,难以达到预期的频率。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保最小化寄生电容和电感的影响,考虑优化栅极驱动电路。

    2. 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 确保采取有效的散热措施,使用散热片或散热风扇辅助散热。

    3. 问题: 开关损耗高,影响能效。
    - 解决方案: 调整驱动信号频率,优化负载匹配,减小输入输出电容的影响。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 低导通电阻,提高能效。
    - 优秀的开关性能和高重复雪崩能力,增强了可靠性。
    - 广泛的应用领域,适合不同需求的设计。
    推荐:
    - 强烈推荐这款FDP20N50 / FDPF20N50 / FDPF20N50T N-Channel UniFETTM MOSFET给需要高可靠性和高性能电子设备的设计者和工程师们。其出色的特性和广泛的应用领域使其成为市场上一款非常有竞争力的产品。

FDPF20N50参数

参数
最大功率耗散 38.5W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 10A,10V
栅极电荷 59.5nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 20A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.12nF@25V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDPF20N50厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF20N50数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDPF20N50 FDPF20N50数据手册

FDPF20N50封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.3462 ¥ 11.4776
100+ $ 1.3219 ¥ 11.3751
300+ $ 1.3098 ¥ 11.2726
500+ $ 1.2977 ¥ 11.1702
1000+ $ 1.2613 ¥ 10.6578
5000+ $ 1.2613 ¥ 10.6578
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