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NSB1706DMW5T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi NPN晶体管, SOT-353 (SC-88A)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压50 V
供应商型号: AV-S-ONSNSB1706DMW5T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G概述


    产品简介


    NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 双偏置电阻晶体管
    NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 是由 Semiconductor Components Industries, LLC 推出的单极型(NPN)硅表面贴装晶体管,集成了一个带有两个电阻(基极串电阻和基极-发射极电阻)的单片偏置电阻网络。这种双偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)设计用于替代单个设备及其外部偏置电阻网络。BRT 通过将这些独立组件集成到一个设备中,从而简化电路设计,减少板空间占用并降低元件数量。该产品采用 SC-88A 封装,非常适合低功耗表面贴装应用,在有限的板空间下实现高效利用。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 100 mAdc
    - 输入电阻 (R1): 3.3 kΩ 至 6.1 kΩ
    - 电阻比 (R1/R2): 0.055 至 0.185
    热特性
    - 单个结加热情况下的总器件耗散 (TA=25°C):
    - PD: 187 mW
    - RJA (热阻,结至环境): 670°C/W
    - 两个结同时加热情况下的总器件耗散 (TA=25°C):
    - PD: 250 mW
    - RJA (热阻,结至环境): 493°C/W
    开关特性
    - 在 IC = 10 μA, IE = 0 时的集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50 Vdc
    - 在 IC = 2.0 mA, IB = 0 时的集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50 Vdc
    - 在 VCE = 10 V, IC = 5.0 mA 时的直流电流增益 (hFE): 80 至 200

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:内置的偏置电阻网络消除了对外部电阻的需求,简化了电路设计过程。
    - 减少板空间:由于集成了电阻和晶体管,因此减少了所需板空间。
    - 降低元件数量:集成了电阻和晶体管,降低了整体元件数量,有助于提高可靠性。
    - 环保合规性:该设备无铅,无卤素,无溴化阻燃剂,并符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 消费电子产品:BRT 适用于各种消费电子产品,如智能手表、遥控器等。
    - 工业自动化:在需要高可靠性的工业控制应用中,BRT 也是一个很好的选择。
    - 通信设备:适用于各种通信设备,如路由器、交换机等。
    使用建议
    - 在设计过程中,确保电源电压在规定范围内。
    - 确保安装时正确处理散热问题,特别是在高温环境下运行时。
    - 考虑到不同应用场景的功耗需求,合理配置输入电阻 (R1) 和电阻比 (R1/R2)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与市面上大多数标准的表面贴装设备兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和客户支持服务,包括详细的使用指南和技术文档。用户可通过官方网站上的技术支持联系方式获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备发热严重。
    - 解决方案:确保安装时正确散热,并避免长时间过载运行。
    2. 问题:无法正常开启设备。
    - 解决方案:检查电源电压是否在规定范围内,确认输入电阻 (R1) 和电阻比 (R1/R2) 的设置是否正确。
    3. 问题:输出电压异常。
    - 解决方案:重新检查连接线路,确认输入电阻 (R1) 和电阻比 (R1/R2) 设置正确。

    总结和推荐


    总体评价:
    NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 集成了单片偏置电阻网络,具有显著简化电路设计和节省空间的优势。它们的高可靠性和环保特性使其成为多种应用的理想选择。特别是在低功耗表面贴装应用中,它们的表现尤为出色。
    推荐:
    我们强烈推荐此产品给需要简化电路设计、节省空间且对环保有要求的应用场景。此外,对于工业自动化和通信设备的设计工程师来说,NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 也是极具吸引力的选择。在实际应用中,建议仔细阅读技术手册,以充分利用这些设备的优点。

NSB1706DMW5T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极电流 100mA
配置 双共发射极
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大功率耗散 385mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 50V
集电极截止电流 500nA
长*宽*高 2.2mm*1.35mm*1mm
通用封装 SC-88A,SOT-353
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSB1706DMW5T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSB1706DMW5T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1G数据手册

NSB1706DMW5T1G封装设计

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