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NTTFD2D8N03P1E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3V@ 400µA 20.8nC@ 10V,20.5nC@ 10V 30V 2.5mΩ@ 18A,10V 80A;16.1A 1.5nF@ 15V,1.521nF@ 15V 12WQFN 贴片安装
供应商型号: 488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFD2D8N03P1E

NTTFD2D8N03P1E概述

    电子元器件技术手册:NTTFD2D8N03P1E MOSFET

    1. 产品简介


    NTTFD2D8N03P1E是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PowerTrench及Power Clip封装,专为高效电源转换设计。其独特的对称双结构使其适用于广泛的电源管理应用,如DC-DC转换器和系统电压轨。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):30V
    - 门极源极电压(VGS):±12V/±16V
    - 连续漏极电流(ID):80A(TC=25°C),58A(TC=85°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):327A(TP=10μs)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):55.4mJ(Q1),58.8mJ(Q2)
    - 工作温度范围:-55°C到+150°C
    - 焊接引脚温度:260°C(1/8英寸引脚,10秒)
    - 电气特性
    - 开启门限电压(VGS(TH)):1.2V至2.2V
    - 导通电阻(RDS(on)):2.0mΩ@10V,18A;2.6mΩ@4.5V,16A
    - 零门电压漏电流(IDSS):1μA@24V,VGS=0V
    - 输入电容(CISS):1500pF(VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz)
    - 输出电容(COSS):483pF(VDS=15V,ID=18A)
    - 反向传输电容(CRSS):29pF(VDS=15V,ID=18A)

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑型设计:NTTFD2D8N03P1E具有3.3mm x 3.3mm的小尺寸,适合空间受限的应用场景。
    - 低导通损耗:其导通电阻RDS(on)非常低,有助于减少功耗。
    - 低驱动损耗:低栅极电荷QG和电容使得驱动损耗最小化。
    - 环保认证:产品无铅且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:NTTFD2D8N03P1E适用于DC-DC转换器和系统电压轨。例如,在一个需要高效率转换的DC-DC转换器中,这款MOSFET可以提供出色的性能和可靠性。
    - 使用建议:
    - 在设计过程中需注意散热问题,确保适当的PCB布局以保持良好的热稳定性。
    - 在进行驱动电路设计时,选择合适的栅极电阻,以避免开关过程中的振铃现象。
    - 使用多层PCB板可以有效提高散热性能。

    5. 兼容性和支持


    - NTTFD2D8N03P1E与市场上常见的电源管理芯片和控制器高度兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - onsemi公司提供详尽的技术支持,包括北美和欧洲的技术支持热线,以及在线文档和技术资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何确保MOSFET的可靠运行?
    - A:确保操作温度在规定的范围内,并且正确设计PCB布局以优化散热。
    - Q:如何减少开关损耗?
    - A:选用较低的QG和COSS值的产品,并优化栅极驱动电路的设计。
    - Q:如何测试MOSFET的可靠性?
    - A:进行雪崩测试,确保器件在极端条件下的耐久性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTTFD2D8N03P1E MOSFET凭借其出色的导通电阻、小尺寸和高可靠性,在多种电源管理应用中表现出色。推荐将其用于需要高性能和紧凑设计的场合。同时,onsemi公司提供的完善的支持和服务使其成为一款值得信赖的产品。

NTTFD2D8N03P1E参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 400µA
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 18A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 80A;16.1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@ 15V,1.521nF@ 15V
栅极电荷 20.8nC@ 10V,20.5nC@ 10V
通用封装 12WQFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFD2D8N03P1E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFD2D8N03P1E数据手册

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NTTFD2D8N03P1E封装设计

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