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NVMFWS003P03P8ZT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),168.7W(Tc) 3V@ 250µA 167nC@ 4.5 V 1个P沟道 30V 1.8mΩ@ 23A,10V 12.12nF@15V 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFWS003P03P8ZT1GDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFWS003P03P8ZT1G

NVMFWS003P03P8ZT1G概述

    MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL NVMFS003P03P8Z

    产品简介


    NVMFS003P03P8Z是一款P沟道MOSFET,适用于多种电子系统。其主要用于功率负载开关、反向电流保护、过电压保护及负电压保护等场景。该产品具有低导通电阻(RDS(on)),有助于提升系统效率,且封装尺寸小巧,适合空间受限的应用环境。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS): -30 V
    - 栅源电压(VGS): ±25 V
    - 连续漏极电流(ID): -234 A (Tc=25°C), -169 A (Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): -900 A
    - 单脉冲击穿能量(EAS): 186 mJ
    - 最大结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)): 1.2 mΩ (VGS=-10 V, ID=-23 A), 1.9 mΩ (VGS=-4.5 V, ID=-20 A)
    - 输入电容(Ciss): 12120 pF (VGS=0 V, VDS=-15 V, f=1.0 MHz)
    - 输出电容(Coss): 4020 pF
    - 反向传输电容(Crss): 4100 pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)): 167 nC (VGS=-4.5 V, VDS=-15 V, ID=-23 A)
    - 热阻抗
    - 结至壳热阻(RJC): 0.9 °C/W
    - 结至环境热阻(RJA): 39 °C/W

    产品特点和优势


    NVMFS003P03P8Z具有多项独特功能和优势:
    - 超低RDS(on):低至1.2 mΩ,有助于显著提高系统的整体效率。
    - 先进封装技术:采用5x6mm尺寸的DFN封装,有效节省空间并提供出色的热传导性能。
    - 环保材料:无铅、无卤素、BFR-free,并符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    NVMFS003P03P8Z可广泛应用于多种场合,如电源管理、负载开关等。在具体应用中,应根据工作条件选择合适的驱动电压(VGS)以确保最佳性能。例如,在高电流条件下使用时,应注意散热措施,避免因温度过高而影响性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他常见封装尺寸为SO8FL的P沟道MOSFET具有良好的兼容性。
    - 支持和服务:客户可访问onsemi官网获取详细的技术文档和支持资源。如有任何问题,可通过技术支持热线联系厂家。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热
    - 解决方案: 检查散热系统是否正常工作,并根据需要增加外部散热片。
    2. 问题: 工作电压不稳
    - 解决方案: 确保输入电压稳定,并检查电路连接是否正确。
    3. 问题: 驱动电流不稳定
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻(RG),并检查VGS设置是否正确。

    总结和推荐


    NVMFS003P03P8Z是一款优秀的P沟道MOSFET,凭借其超低的RDS(on)、先进的封装技术和广泛的适用性,在众多应用场景中表现出色。推荐在电源管理和负载开关等场合使用此产品。不过,对于已经停产的型号(如NVMFWS003P03P8ZT1G),请咨询供应商了解最新的替代产品信息。

NVMFWS003P03P8ZT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8mΩ@ 23A,10V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 3.9W(Ta),168.7W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12.12nF@15V
栅极电荷 167nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFWS003P03P8ZT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFWS003P03P8ZT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFWS003P03P8ZT1G NVMFWS003P03P8ZT1G数据手册

NVMFWS003P03P8ZT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.4992 ¥ 29.5682
10+ $ 2.1965 ¥ 18.5603
500+ $ 1.2416 ¥ 10.4913
库存: 1488
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