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NTMFS4941NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 910mW(Ta),25.5W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 25.5nC@ 10V 1个N沟道 30V 6.2mΩ@ 30A,10V 9A,47A 1.65nF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4941NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4941NT1G

NTMFS4941NT1G概述

    NTMFS4941N MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTMFS4941N是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用SO-8 FL封装。它具有低导通电阻(RDS(on))、低电容和优化栅极电荷的特点,主要用于CPU电源管理及DC-DC转换器中。该产品符合RoHS标准,不含铅、卤素及BFR等有害物质,确保了环保和人体健康。

    技术参数


    NTMFS4941N的主要技术参数如下:
    - 漏源电压(VDSS): 30V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 最大连续漏电流(ID):
    - 25°C下为25A
    - 100°C下为16A
    - 功率耗散(PD):
    - 25°C下为7.2W
    - 100°C下为5.7W
    - 脉冲漏电流(IDM): 140A(在25°C时,tp = 10μs)
    - 最高存储温度和工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C到+150°C
    此外,该MOSFET还具有以下电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 10V下的典型值为6.2mΩ,最大值为9.0mΩ
    - 4.5V下的典型值为9.0mΩ,最大值为12.5mΩ
    - 阈值电压(VGS(TH)):
    - 在1.2V到2.2V之间
    - 门限电压温度系数(VGS(TH)/TJ): -4.0mV/°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)): 最低可至6.2mΩ,从而显著降低传导损耗。
    2. 低电容: 有助于减少驱动损耗。
    3. 优化栅极电荷: 降低开关损耗。
    4. 环保特性: 符合RoHS标准,无铅、无卤素和BFR,确保安全性和环保性。

    应用案例和使用建议


    NTMFS4941N广泛应用于CPU电源管理和DC-DC转换器中,适合需要高效能转换的应用。在实际使用中,建议确保工作环境不超过最高温度限制(150°C),并选择合适的散热措施以保证可靠性。对于负载频繁变化的应用,可以通过增加门极电阻来控制开关速度,减少损耗。

    兼容性和支持


    该产品与常见的SO-8 FL封装标准兼容,适用于大多数基于SO-8 FL封装的设计。制造商提供全面的技术支持和质量保证,包括详细的安装指南和故障排查资源。可通过官方网站获取更多技术支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中过热导致损坏。
    - 解决方案: 使用适当的散热片和良好的PCB布局设计,以确保MOSFET工作在推荐温度范围内。
    - 问题: 栅极电压不匹配导致无法正常工作。
    - 解决方案: 确保提供的栅极电压在规定的±20V范围内,并检查电路设计是否正确连接栅极电阻。


    总结和推荐


    总体而言,NTMFS4941N MOSFET以其低导通电阻、低电容和优化栅极电荷的特点,成为高性能应用的理想选择。它在CPU电源管理和DC-DC转换器方面的优异表现使其在市场上具备较强的竞争力。对于追求高效能和稳定性的工程师来说,NTMFS4941N无疑是一个值得推荐的选择。通过合理的设计和恰当的使用方法,可以最大限度发挥其性能优势。

NTMFS4941NT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 9A,47A
Rds(On)-漏源导通电阻 6.2mΩ@ 30A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.65nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 25.5nC@ 10V
通道数量 1
最大功率耗散 910mW(Ta),25.5W(Tc)
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTMFS4941NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4941NT1G数据手册

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NTMFS4941NT1G封装设计

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