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NVBG080N120SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 56nC@ 20V 179W(Tc) 1.154nF@800V 110mΩ@ 20A,20V 1.2KV 4.3V@5mA 25V 1个N沟道 D2PAK-7 贴片安装
供应商型号: AV-S-ONSNVBG080N120SC1
供应商: Avnet
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NVBG080N120SC1

NVBG080N120SC1概述

    # Silicon Carbide (SiC) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVBG080N120SC1 是一款基于碳化硅(SiC)技术的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有80毫欧姆的导通电阻(RDS(on))和1200伏的漏源击穿电压(VDSS)。该产品广泛应用于汽车行业的车载充电器和电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)的直流-直流转换器中。凭借其卓越的电气特性和可靠性,NVBG080N120SC1 成为了高效率电源转换和电机控制的理想选择。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):1200 V
    - 栅源电压(VGS):-15/+25 V
    - 推荐操作范围内的栅源电压(VGSop):-5/+20 V
    - 持续漏极电流(稳态,TC=25°C):30 A
    - 功率耗散(TC=25°C):179 W
    - 脉冲漏极电流(TC=25°C):110 A
    - 单脉冲浪涌漏极电流(TC=25°C, tp=10 µs, RG=4.7 Ω):132 A
    - 工作结温和存储温度范围:-55到+175°C
    电气特性
    - 关断特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):1200 V
    - 漏源击穿电压温度系数(V(BR)DSS/TJ):0.5 V/°C
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):100 µA
    - 开通特性:
    - 栅阈值电压(VGS(TH)):1.8~4.3 V
    - 导通电阻(RDS(on)):80~121 mΩ
    - 前向跨导(gFS):11 S
    - 充电和电容:
    - 输入电容(CISS):1154 pF
    - 输出电容(COSS):79 pF
    - 反向传输电容(CRSS):7.9 pF
    - 总栅电荷(QG(TOT)):56 nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(ON)):12~22 ns
    - 上升时间(tr):12~22 ns
    - 关闭延迟时间(td(OFF)):21~34 ns
    - 下降时间(tf):9~18 ns
    热特性
    - 结至外壳热阻(RθJC):0.84 °C/W
    - 结至环境热阻(RθJA):40 °C/W

    产品特点和优势


    NVBG080N120SC1 的主要优势包括:
    - 极低的栅电荷(典型值 QG(tot) = 56 nC)
    - 低有效的输出电容(典型值 Coss = 79 pF)
    - 100%雪崩测试通过
    - 符合AEC-Q101标准并可PPAP认证
    - 无卤素且符合RoHS标准,引线焊接温度最高可达300°C
    - 在高温下保持稳定的电气特性,最大结温可达175°C

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVBG080N120SC1 主要应用于汽车领域的车载充电器和直流-直流转换器。这些应用需要高效的电源转换和高可靠性,NVBG080N120SC1 正好满足这些要求。
    使用建议
    在使用NVBG080N120SC1时,需注意其工作温度范围,确保在极端温度环境下仍能稳定运行。此外,建议根据具体应用需求进行热管理设计,以保证其在高功率运行时不会过热。

    兼容性和支持


    该产品与常见的汽车级电源电路兼容,并可通过其D2PAK-7L封装形式方便安装。制造商提供了详细的文档和支持,包括电气特性表、封装图以及热管理和焊接指南,有助于用户正确使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品无法正常工作
    - 解决方案:检查VGS电压是否在规定范围内(-5/+20V),确保连接正确。
    2. 问题:产品发热严重
    - 解决方案:增加散热措施,确保良好的热管理,避免超过最大功率限制。
    3. 问题:产品在高功率下性能不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,特别是电容和电阻值的选择,确保符合应用要求。

    总结和推荐


    NVBG080N120SC1 是一款出色的SiC MOSFET,具备出色的电气特性和稳定性,非常适合用于汽车电子领域。考虑到其高性能、可靠性及广泛的应用范围,强烈推荐此产品用于相关应用场合。

NVBG080N120SC1参数

参数
栅极电荷 56nC@ 20V
FET类型 1个N沟道
Idss-饱和漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 20A,20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.154nF@800V
最大功率耗散 179W(Tc)
Vgs-栅源极电压 25V
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@5mA
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Id-连续漏极电流 -
最大功率 -
通用封装 D2PAK-7
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVBG080N120SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVBG080N120SC1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1数据手册

NVBG080N120SC1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 9.1552 ¥ 81.0232
2400+ $ 9.0734 ¥ 80.2998
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