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BUT11A

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5V@ 500mA,2.5A NPN 100W 9V 1mA 1KV 450V 5A TO-220-3 通孔安装
供应商型号: BUT11AOS-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) BUT11A

BUT11A概述


    产品简介


    BUT11/11A是一款NPN硅晶体管,专为高电压功率开关应用设计。它主要用于电力转换、逆变器和电源管理系统等需要处理高电压和电流的应用场景。作为一款高性能的NPN晶体管,BUT11/11A能够提供出色的电学特性和稳定的性能,使其在工业控制和汽车电子等领域有着广泛的应用前景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):850V(BUT11),1000V(BUT11A)
    - 集电极-发射极电压(VCEO):400V(BUT11),450V(BUT11A)
    - 发射极-基极电压(VEBO):9V
    - 最大连续集电极电流(IC):5A
    - 脉冲集电极电流(ICP):10A
    - 最大基极电流(IB):2A
    - 脉冲基极电流(IBP):4A
    - 集电极耗散功率(PC):100W(TC=25°C)
    - 结温(TJ):150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-65°C ~ 150°C
    - 电气特性
    - 集电极-发射极耐压(VCEO(sus)):400V(BUT11),450V(BUT11A)
    - 集电极截止电流(ICES):1mA(BUT11),1mA(BUT11A)
    - 发射极截止电流(IEBO):10mA
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):1.3V
    - 导通时间(tON):1µs
    - 储存时间(tSTG):4µs
    - 下降时间(tF):0.8µs
    - 热阻(RθjC):1.25°C/W

    产品特点和优势


    BUT11/11A具有以下显著特点和优势:
    - 高电压耐受能力:BUT11/11A能够承受高达850V的集电极-基极电压和450V的集电极-发射极电压,使其适用于高压电力系统。
    - 大电流处理能力:最高可承受5A的连续集电极电流和10A的脉冲集电极电流,满足大功率应用需求。
    - 低导通损耗:低至1.5V的集电极-发射极饱和电压确保了高效的功率转换效率。
    - 快速响应时间:导通时间为1µs,下降时间为0.8µs,能够实现快速的开关操作,适用于高频应用场景。
    - 良好的散热性能:热阻为1.25°C/W,有助于维持晶体管的稳定工作温度,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BUT11/11A广泛应用于电力转换系统、逆变器和电源管理系统中。例如,在一个典型的太阳能逆变器应用中,BUT11/11A被用作高电压开关,以将直流电转换为交流电。
    使用建议
    1. 适当选择冷却方式:由于集电极耗散功率较高,建议使用散热片或其他高效散热方式,以保持晶体管在安全的工作温度范围内。
    2. 合理匹配电路参数:在设计电路时,确保基极驱动电流和电压匹配,以保证最佳的开关性能和低功耗。
    3. 避免过载:避免长时间工作在最大额定值附近,特别是在高温环境下,以免造成器件损坏。

    兼容性和支持


    BUT11/11A采用标准的TO-220封装,可以轻松集成到现有的电子系统中。ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持,帮助客户进行产品选型和设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下工作不稳定 | 检查散热措施,确保良好的热管理。 |
    | 寿命较短 | 确保工作在额定参数以内,避免长时间过载。 |
    | 开关速度慢 | 检查基极驱动信号,确保足够的驱动电流和合适的波形。 |

    总结和推荐


    综上所述,BUT11/11A是一款高性能的NPN硅晶体管,适合于高电压和大电流的功率开关应用。其高耐压、大电流处理能力和低功耗等特点使其在电力转换、逆变器和电源管理等应用场景中表现出色。考虑到其优秀的性能和可靠的支持服务,强烈推荐使用这款产品。

BUT11A参数

参数
最大功率耗散 100W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 500mA,2.5A
配置 独立式
集电极截止电流 1mA
VEBO-最大发射极基极电压 9V
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 500mA,2.5A
VCBO-最大集电极基极电压 1KV
集电极电流 5A
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 450V
10.1mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

BUT11A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

BUT11A数据手册

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BUT11A封装设计

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