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NSVMMBTH10LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压25 V
供应商型号: FL-NSVMMBTH10LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMBTH10LT1G

NSVMMBTH10LT1G概述

    MMBTH10L/N 系列 VHF/UHF 转换晶体管技术手册

    1. 产品简介


    MMBTH10L 和 MMBTH10-4L 是由 ON Semiconductor 公司生产的 NPN 硅基高频转换晶体管,适用于非常高的频率(VHF/UHF)领域。这些晶体管主要用于汽车和其他要求严格品质控制的应用,符合 AEC-Q101 标准,提供铅(Pb)自由、卤素自由和溴化阻燃剂(BFR)自由版本,完全符合 RoHS 标准。它们主要功能是放大信号并用于高频率的无线通信系统中。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 \(V{CEO}\):25 Vdc
    - 集电极-基极电压 \(V{CBO}\):30 Vdc
    - 发射极-基极电压 \(V{EBO}\):3.0 Vdc
    - 最大功耗 \(PD\):
    - FR-5 板:225 mW @ 25°C,2.4 mW/°C (超过 25°C)
    - 氧化铝衬底:300 mW @ 25°C,2.4 mW/°C (超过 25°C)
    - 热特性:
    - 结到环境热阻率 \(R{\theta JA}\):556 °C/W (FR-5 板),417 °C/W (氧化铝衬底)
    - 电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 \(V(BR)CEO\):25 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压 \(V(BR)CBO\):30 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压 \(V(BR)EBO\):3.0 Vdc
    - 典型电流增益 \(h{FE}\):60 至 240
    - 集电极-发射极饱和电压 \(V{CE(sat)}\):0.5 Vdc
    - 基极-发射极导通电压 \(V{BE}\):0.95 Vdc

    3. 产品特点和优势


    - 汽车级应用:S 和 NSV 前缀使得产品适合需要独特场地和控制变更要求的汽车和其他应用。
    - 环保设计:Pb自由、卤素自由和RoHS标准,保证对环境的友好性。
    - 卓越的电气性能:高增益、低饱和电压和稳定的频率响应使这些晶体管非常适合高频应用。
    - 高可靠性:经过严格测试和验证,确保长期稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于汽车电子、无线电通信系统、消费电子产品等领域。为了实现最佳性能,建议使用时注意散热管理,特别是在高功率运行条件下,以避免过热现象。此外,在高频应用中应注意电源稳定性和噪声过滤,以确保信号质量。

    5. 兼容性和支持


    MMBTH10L 和 MMBTH10-4L 支持常见的 SOT-23 封装形式,易于集成到现有电路板设计中。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和文档资料,确保客户可以顺利进行开发和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管工作时温度过高。
    - 解决办法:增加散热片或采用更好的散热方案,例如使用更大的散热片或液冷装置。
    - 问题:信号失真严重。
    - 解决办法:检查电源稳定性和滤波器设置,确保供电稳定,减少干扰。

    7. 总结和推荐


    MMBTH10L 和 MMBTH10-4L 系列晶体管凭借其卓越的电气性能和可靠性,在高频应用领域具有明显的优势。其高电流增益和低饱和电压使其在各种复杂环境中表现出色。强烈推荐在高频无线通信系统和其他需要高可靠性的应用中使用。
    通过本手册和技术资料的支持,用户可以轻松地将这些晶体管集成到他们的设计中,并确保达到预期的效果。

NSVMMBTH10LT1G参数

参数
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 3V
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 0.4mA @ 4mA
集电极电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 30V
最大功率耗散 300mW
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMMBTH10LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMBTH10LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G数据手册

NSVMMBTH10LT1G封装设计

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