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NDB5060L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 68W(Tc) 16V 2V@ 250µA 24nC@ 5 V 1个N沟道 60V 35mΩ@ 13A,10V 26A 840pF@30V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-NDB5060L
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDB5060L

NDB5060L概述


    产品简介


    NDP5060L/NDB5060L:逻辑电平增强型N沟道场效应晶体管
    NDP5060L/NDB5060L是一款高性能N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(FET),由Fairchild Semiconductor生产,现已成为ON Semiconductor产品线的一部分。该产品具有极低的导通电阻(RDS(ON)),能够高效实现快速开关和低功耗运行,适用于多种需要高效率和高可靠性电子应用的场景。
    主要功能:
    - 逻辑电平门极驱动,适合低压控制电路;
    - 支持高电流输出,提供卓越的电流承载能力;
    - 具有高密度单元设计,适用于紧凑型电路板设计;
    - 能够有效应对瞬态冲击,具备鲁棒性。
    应用领域:
    - 汽车电子系统;
    - 直流-直流转换器;
    - PWM电机控制;
    - 各类电池供电设备;
    - 开关电源和便携式消费电子产品。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGSS | ±16 ±25 | V |
    | 漏源电压 | VDSS 60 | V |
    | 漏极连续电流 | ID 26 A |
    | 瞬态漏极电流 | ID(on) 78 A |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | 0.035 | 0.05 Ω |
    | 热阻 | RθJC | 2.2 °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG | -65 175 | °C |
    此外,该器件支持以下动态特性:
    - 输入电容:840 pF;
    - 输出电容:230 pF;
    - 转移电容:75 pF;
    - 开关延迟时间:13–20 ns。

    产品特点和优势


    NDP5060L/NDB5060L的主要特点和优势如下:
    1. 低导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压为5V时典型值为0.05Ω,在10V时仅为0.035Ω,极大降低了功耗;
    2. 快速开关性能:具备优异的开关特性,可支持高频应用需求;
    3. 内部二极管保护:集成源漏二极管,可免除外接瞬态抑制二极管的需求;
    4. 高温度适应性:最高工作温度可达175°C,适合恶劣环境;
    5. 多功能封装支持:提供TO-220和TO-263(D2PAK)两种封装,兼顾表面贴装与通孔安装需求。
    这些特点使其成为汽车电子、电源管理、电机控制等领域的理想选择,同时显著提升了设计灵活性和性能表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 在电动汽车充电系统中作为DC/DC转换器的核心组件;
    2. 用于工业级变频器,实现高效的PWM控制;
    3. 作为便携设备的开关元件,降低整体功耗。
    使用建议:
    - 针对高电流负载场合,需确保散热设计良好以避免过热;
    - 在高频开关条件下,适当减少门极电荷(Qg),以进一步提升开关速度;
    - 建议结合外部滤波电路优化输出纹波,确保信号完整性。

    兼容性和支持


    NDP5060L/NDB5060L与主流电子平台高度兼容,支持广泛的应用场景。ON Semiconductor为用户提供全面的技术支持服务,包括在线资源、开发文档及应用工程师协助。此外,器件兼容RoHS标准,满足绿色环保要求。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 晶体管发热严重 | 检查散热设计,增加散热片或风扇;减小负载电流 |
    | 开关频率下降 | 减少栅极电阻值(RGS),提高驱动强度 |
    | 漏极电流不稳定 | 检查连接线路是否存在接触不良或负载过载 |

    总结和推荐


    NDP5060L/NDB5060L凭借其低导通电阻、优异的开关性能和强大的工作温度适应性,展现出极高的市场竞争力。其广泛的应用场景和出色的稳定性使其成为高性能电子设计的理想选择。无论是汽车电子还是工业设备领域,这款产品都能带来显著的效率提升和成本优化。因此,我们强烈推荐将此产品用于相关项目的设计中。
    最终评分:★★★★★

NDB5060L参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 840pF@30V
Id-连续漏极电流 26A
最大功率耗散 68W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 24nC@ 5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 13A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NDB5060L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDB5060L数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDB5060L NDB5060L数据手册

NDB5060L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 1.0627 ¥ 9.145
300+ $ 1.053 ¥ 9.0626
500+ $ 1.0432 ¥ 8.9802
1000+ $ 1.014 ¥ 8.5683
5000+ $ 1.014 ¥ 8.5683
库存: 3790
起订量: 110 增量: 1
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最小起订量为:100
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