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FDW9926A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1W 10V 1.5V@ 250µA 9nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 32mΩ@ 4.5A,4.5V 4.5A 630pF@10V TSSOP-8 贴片安装 4.4mm*3mm*1mm
供应商型号: CSJ-ST14394999
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDW9926A

FDW9926A概述

    FDW9926A 双N通道2.5V指定PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDW9926A是一款双N通道2.5V指定的PowerTrench MOSFET,采用Fairchild半导体先进的PowerTrench工艺制造。它针对电源管理应用进行了优化,适用于多种门极驱动电压(2.5V至10V)。FDW9926A广泛应用于电池保护、负载开关和电源管理等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 断态参数
    - BVDSS(漏源击穿电压):20V
    - ΔBVDSS/ΔTJ(温度系数):12mV/°C
    - IDSS(零栅源电压漏电流):1μA
    - IGSS(栅体漏电流):±100nA
    - 通态参数
    - VGS(th)(栅阈值电压):0.6V 至 1.5V
    - RDS(on)(导通电阻):24mΩ@VGS=4.5V、ID=4.5A;32mΩ@VGS=4.5V、ID=4.5A、TJ=125°C
    - ID(on)(通态漏电流):15A@VGS=4.5V、VDS=5V
    - gFS(正向跨导):19S
    - 动态特性
    - Ciss(输入电容):630pF
    - Coss(输出电容):150pF
    - Crss(反向转移电容):85pF
    - RG(栅电阻):1.4Ω
    - 开关特性
    - td(on)(导通延迟时间):8ns 至 16ns
    - tr(导通上升时间):8ns 至 16ns
    - td(off)(关断延迟时间):15ns 至 26ns
    - tf(关断下降时间):4ns 至 8ns
    - Qg(总栅电荷):6.1nC 至 9nC
    - Qgs(栅源电荷):1.1nC
    - Qgd(栅漏电荷):1.8nC
    - 热特性
    - RθJA(结点到环境热阻):125°C/W(稳态)
    - TJ, TSTG(操作和存储结温范围):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    FDW9926A的主要特点包括:
    - 4.5A、20V、32mΩ@VGS=4.5V 和 45mΩ@VGS=2.5V 的低导通电阻
    - 极低的RDS(on),采用高绩效沟槽技术
    - 适用于电池电路应用
    - 扩展的VGSS范围(±10V),用于电池应用
    - 小型薄型TSSOP-8封装

    应用案例和使用建议


    FDW9926A的应用场景包括:
    - 电池保护:利用其低导通电阻和高可靠性,适用于各种电池保护电路。
    - 负载开关:适合于需要高效开关的应用,如负载开关。
    - 电源管理:适合用于电源管理系统,提供高效可靠的转换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到其低RDS(on)特性,可以选择较小的散热片以减少空间占用。
    - 在负载开关应用中,建议选择合适的驱动电压以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    - FDW9926A具有良好的兼容性,可与其他标准电子元件配合使用。
    - Fairchild半导体提供了详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够得到及时的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时过载电流过大。
    - 解决方法:检查电路设计并调整驱动电压。
    - 问题2:温度过高导致性能下降。
    - 解决方法:增加散热措施或更换更大散热片。

    总结和推荐


    综上所述,FDW9926A 是一款性能卓越的双N通道2.5V指定PowerTrench MOSFET。它在电池保护、负载开关和电源管理方面的应用非常广泛,并且具有出色的低导通电阻和高可靠性。强烈推荐在相关应用中使用此产品。

FDW9926A参数

参数
通道数量 2
栅极电荷 9nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 630pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 4.5A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 1W
Vgs-栅源极电压 10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置
Id-连续漏极电流 4.5A
长*宽*高 4.4mm*3mm*1mm
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDW9926A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDW9926A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDW9926A FDW9926A数据手册

FDW9926A封装设计

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