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NTHS4166NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 800mW(Ta) 20V 2.3V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 30V 22mΩ@ 4.9A,10V 4.9A 900pF@15V CHIPFET-8 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1.05mm
供应商型号: FL-NTHS4166NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTHS4166NT1G

NTHS4166NT1G概述


    产品简介


    NTHS4166N 是一款由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道 MOSFET 电源开关器件。它采用 ChipFet 封装,具有紧凑的外形和卓越的热性能。此器件主要用于负载开关、直流-直流转换器以及低侧开关等应用场合。

    技术参数


    - 最大电压:VDSS = 30V
    - 最大连续漏极电流(在 25°C 下):ID = 8.2A
    - 最大功率耗散(在 25°C 下):PD = 2.2W
    - 通态电阻(RDS(on)):
    - 在 10V 门源电压下:RDS(on) = 18 mΩ 至 22 mΩ
    - 在 4.5V 门源电压下:RDS(on) = 23 mΩ 至 27 mΩ
    - 单脉冲雪崩能量(在 25°C 下):EAS = 20 mJ
    - 封装类型:3000/Tape & Reel

    产品特点和优势


    NTHS4166N 的主要优势包括:
    - 使用了沟槽技术(Trench Technology),有效降低了导通损耗。
    - 采用了无引线的 ChipFet 封装,相比传统的 TSOP-6 封装,面积减少了 40%,非常适用于高密度 PCB 布局。
    - 具备出色的热性能,能够在恶劣环境下稳定工作。
    - 符合无铅标准,环保且符合行业标准。

    应用案例和使用建议


    NTHS4166N 广泛应用于以下场景:
    - 负载开关:可应用于各类负载开关电路中,实现高效能控制。
    - 直流-直流转换器:用于电压转换,提供稳定的输出。
    - 低侧开关:由于其出色的导通特性和耐压能力,适合用作低侧开关元件。
    使用建议:
    - 确保在焊接过程中达到适当的温度(TL ≤ 260°C),以防止损坏。
    - 在进行高电流测试时,注意使用合适的栅极电阻,以避免过高频率下的过载。
    - 为确保最佳热性能,应在电路板上使用推荐的焊盘尺寸(如 1 in² 铜片)。

    兼容性和支持


    NTHS4166N 具有一定的通用性,适用于多种不同的电路设计。供应商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户快速了解和正确使用该器件。如果需要更多信息,可以参考供应商提供的文档和支持页面。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些问题及解决方案:
    - 问题:器件出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热是否充分,确保在高温环境下器件能正常工作。

    - 问题:在高电流下器件表现不稳定。
    - 解决方案:适当增加栅极电阻,以减缓电流上升速度,确保开关过程的稳定性。

    - 问题:器件在某些条件下无法正常关断。
    - 解决方案:确保门极电压符合规定范围,避免低于或高于器件的额定值。

    总结和推荐


    NTHS4166N 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,具备优秀的热性能和紧凑的封装设计。它特别适合于高效率、高集成度的电子系统。通过使用该器件,工程师可以在提高系统性能的同时降低系统的复杂度和成本。总体来看,推荐在需要高性能 MOSFET 的应用中使用 NTHS4166N。
    这篇文章详细介绍了 NTHS4166N 的基本特点、技术参数、应用领域及其使用建议,能够帮助读者全面了解这一产品,并为其在实际工程中的应用提供指导。

NTHS4166NT1G参数

参数
配置 独立式hexdrain
Id-连续漏极电流 4.9A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 250µA
通道数量 1
栅极电荷 18nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 800mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 4.9A,10V
长*宽*高 3.05mm*1.65mm*1.05mm
通用封装 CHIPFET-8
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

NTHS4166NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTHS4166NT1G数据手册

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NTHS4166NT1G封装设计

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