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NSVBC143ZPDXV6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 500W 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: NSVBC143ZPDXV6T5G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVBC143ZPDXV6T5G

NSVBC143ZPDXV6T5G概述

    # DTC143ZP/D 技术手册:互补偏置电阻晶体管

    产品简介


    基本描述
    DTC143ZP/D 系列是互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT),旨在取代单一晶体管及其外部电阻偏置网络。每个 BRT 包含一个带有两个内置电阻的单个晶体管,这些电阻构成单级基极电阻和基极-发射极电阻网络。BRT 的使用可以减少系统成本并节省电路板空间。
    主要功能
    - 简化电路设计:集成单级基极电阻和基极-发射极电阻,降低设计复杂度。
    - 减少组件数量:通过将两个独立的外部组件集成到单个器件中,减少所需的分立元器件。
    - 兼容汽车及工业应用:适用于需要独特的场地和控制变更要求的应用,如汽车应用。
    - 环保材料:无铅,无卤素,符合RoHS标准。
    应用领域
    广泛应用于数字电路中,例如汽车电子、工业控制系统、消费电子产品等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50 Vdc
    - 连续集电极电流(IC):100 mAdc
    - 输入正向电压(VIN(fwd)):30 Vdc
    - 输入反向电压(VIN(rev)):5 Vdc
    - 存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
    电气特性
    - 关态特性
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 50 V, IE = 0):最大100 nA
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 50 V, IB = 0):最大500 nA
    - 发射极-基极截止电流(VEB = 6.0 V, IC = 0):最大0.18 mAdc
    - 开态特性
    - 直流增益(IC = 5.0 mA, VCE = 10 V):80 到 200
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 5 mA, IB = 0.25 mA):最小0.1 V
    - 输入电压(Off)(VCE = 5.0 V, IC = 100 μA):最小0.5 V
    - 输入电压(On)(VCE = 0.3 V, IC = 5.0 mA):最小0.9 V
    - 输出电压(On)(VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 kΩ):最大0.2 V
    - 输出电压(Off)(VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 kΩ):最小4.9 V
    - 输入电阻 R1:最小3.3 kΩ
    - 电阻比 R1/R2:0.08 到 0.14

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高可靠性:满足AEC-Q101标准,具备PPAP能力。
    - 环境友好:无铅、无卤素、符合RoHS标准,有助于环境保护。
    - 高集成度:集成单级基极电阻和基极-发射极电阻,简化电路设计。
    - 节省成本和空间:减少组件数量和电路板空间需求,提高系统的整体效率。
    市场竞争力
    - 简化设计:显著降低了设计难度和成本。
    - 提高可靠性:更高的集成度减少了接线错误的可能性,提高了产品的可靠性。
    - 环保材料:适应现代电子产品的环保趋势,符合市场需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:适用于车载音响、照明控制、传感器接口等。
    - 工业控制:适用于自动化设备、机器视觉系统等。
    - 消费电子:适用于智能家居、智能家电等。
    使用建议
    - 电路设计:应考虑热管理问题,特别是当环境温度较高时,需要增加散热措施。
    - 布局建议:确保引脚之间的布线距离足够长,以避免信号干扰。
    - 测试验证:在实际应用前进行充分的电气特性测试和老化测试,确保产品的长期稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与现有设备兼容:适用于现有多种封装标准,如SOT-363、SOT-563、SOT-963。
    - 与其他元器件配合使用:可与各种逻辑电路和电源管理器件搭配使用,实现高性能的设计。
    支持信息
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和用户指南。
    - 维护服务:支持客户反馈和技术咨询,帮助解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 热稳定性问题:如何确保产品在高温环境下正常工作?
    2. 信号完整性问题:如何避免信号干扰?
    解决方案
    1. 热稳定性问题:在高温环境下使用时,建议增加散热片或风扇等散热装置,确保良好的热管理。
    2. 信号完整性问题:确保电路板上的走线尽量短且远离干扰源,合理布置地线和电源线,以降低信号干扰。

    总结和推荐


    综合评估
    DTC143ZP/D 系列互补偏置电阻晶体管凭借其高集成度、环保材料和简化的设计显著提升了系统效率和可靠性。通过减少组件数量和电路板空间需求,它在汽车电子、工业控制和消费电子等领域展现出广泛的适用性和竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐使用 DTC143ZP/D 系列产品。该系列产品不仅能够显著提升系统的整体性能,还符合现代电子产品的环保要求,是理想的选择。

NSVBC143ZPDXV6T5G参数

参数
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 100mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
最大功率耗散 500W
集电极截止电流 500nA
配置 -
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVBC143ZPDXV6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVBC143ZPDXV6T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVBC143ZPDXV6T5G NSVBC143ZPDXV6T5G数据手册

NSVBC143ZPDXV6T5G封装设计

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Symbol
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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 0.429
2000+ ¥ 0.4224
4000+ ¥ 0.4158
8000+ ¥ 0.4092
库存: 7600
起订量: 1000 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 429
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