处理中...

首页  >  产品百科  >  NTTFS4C05NTAG

NTTFS4C05NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 820mW(Ta),33W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.6mΩ@ 30A,10V 12A,75A 1.988nF@15V WDFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: NTTFS4C05NTAG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4C05NTAG

NTTFS4C05NTAG概述

    # NTTFS4C05N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS4C05N 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电流密度应用。它具有低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(QG)和低输出电容(COSS),这些特性使其非常适合用于开关电源、直流-直流转换器和其他需要高效能量转换的应用场合。此外,NTTFS4C05N 符合环保要求,包括无铅、无卤素和 RoHS 标准。
    主要功能和应用领域
    - 主要功能:低导通电阻、低电容、优化的栅极电荷、高温工作稳定性
    - 应用领域:DC-DC 转换器、电源负载开关、笔记本电池管理

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 19.4(TA=25°C) / 14.5(TA=85°C) | A |
    | 功耗 | PD | 2.16 W(TA=25°C) / 4.5 W(TA=25°C) | W |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 174 A |
    | 运行结温和存储温度 | TJ, Tstg | -55 至 +150 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 30 | V |
    | 零门极电压漏极电流 | IDSS | VGS = 0 V, VDS = 24 V, TJ = 25°C | 1.0 | µA |
    | 门源泄露电流 | IGSS | VDS = 0 V, VGS = ±20 V | ±100 | nA |
    | 门限电压 | VGS(TH) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 1.3 | 2.2 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 30 A | 2.9 | 3.6 | mΩ |
    | 前向转移电导 | gFS | VDS = 1.5 V, ID = 15 A | 68 | S |
    | 输入电容 | CISS | VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 15 V | 1988 | pF |
    | 输出电容 | COSS 1224 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS 71 | pF |
    | 总门极电荷 | QG(TOT) | VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 30 A | 14.5 | nC |

    产品特点和优势


    NTTFS4C05N 的设计优化了开关性能和能效。以下是其显著的特点和优势:
    - 低 RDS(on):减少导通损耗,提高系统效率。
    - 低电容:减少驱动损耗,提升开关速度。
    - 优化的栅极电荷:降低开关损耗,进一步提升能效。
    - 环保材料:符合无铅、无卤素、RoHS 标准,适用于绿色环保应用。
    - 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度,适合各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTTFS4C05N 广泛应用于 DC-DC 转换器、电源负载开关和笔记本电脑电池管理系统中。例如,在一个典型的笔记本电脑电源管理系统中,它能够实现高效的电池管理和快速充电功能。
    使用建议
    1. 散热设计:确保适当的热管理措施,如采用大尺寸散热片或强制风冷,以维持其工作温度在安全范围内。
    2. 驱动电路设计:选择合适的门极电阻,以确保开关性能稳定,减少开关损耗。
    3. 应用环境考虑:在极端温度环境下使用时,需特别注意其电气特性的变化,避免因温度波动引起的失效风险。

    兼容性和支持


    NTTFS4C05N 支持标准的焊接工艺,并且在与常用 PCB 材料和焊接技术配合时表现出色。此外,制造商提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南、电气特性文档以及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度范围内的性能变化
    - 解决方案:使用更宽温度范围的 MOSFET 或增加额外的热管理措施,如热敏电阻和风扇。
    2. 问题:开关过程中的过压问题
    - 解决方案:添加合适的瞬态电压抑制二极管或使用软开关技术来减小开关过程中产生的尖峰电压。
    3. 问题:电流过载导致的损坏
    - 解决方案:在设计时加入电流保护机制,如限流电路或保险丝,以保护 MOSFET 不受过大电流损害。

    总结和推荐


    NTTFS4C05N 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气特性和广泛应用能力。它在导通损耗、开关损耗和驱动损耗方面的出色表现,使其成为许多高电流密度应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能量转换和高温工作环境的应用中使用 NTTFS4C05N。

NTTFS4C05NTAG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6mΩ@ 30A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 31nC@ 10 V
最大功率耗散 820mW(Ta),33W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.988nF@15V
Id-连续漏极电流 12A,75A
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS4C05NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4C05NTAG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4C05NTAG NTTFS4C05NTAG数据手册

NTTFS4C05NTAG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3
100+ ¥ 2.36
1500+ ¥ 1.74
3000+ ¥ 1.254
库存: 67839
起订量: 1 增量: 1500
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0