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FQPF6N60C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 40W(Tc) 30V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 600V 2Ω@ 2.75A,10V 5.5A 810pF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-FQPF6N60C
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF6N60C

FQPF6N60C概述


    产品简介


    FQP6N60C/FQPF6N60C 是由Fairchild半导体公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor)。这些器件采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术,特别设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能,并能够承受高能量脉冲,在雪崩和换向模式下具有很高的可靠性。这些产品非常适合应用于高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 管脚电压:最大600V
    - 连续漏极电流(25°C):5.5A
    - 连续漏极电流(100°C):3.3A
    - 单脉冲雪崩能量:300mJ
    - 最大栅极-源极电压:±30V
    - 反复雪崩能量:12.5mJ
    - 高温体二极管恢复峰值dv/dt:4.5V/ns
    - 功耗(25°C):125W
    - 热阻(结到外壳):1.0°C/W
    - 热阻(外壳到散热器):0.5°C/W
    - 热阻(结到环境):62.5°C/W
    - 电气特性
    - 击穿电压:600V
    - 漏极-源极开启电阻(VGS = 10V):2.0Ω
    - 输入电容:620~810pF
    - 输出电容:65~85pF
    - 交叉电容:7~10pF
    - 开启延迟时间:15~40ns
    - 开关总栅极电荷:16~20nC

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:典型值为16nC,有助于减少驱动电路的能耗。
    - 低输出电容和交叉电容:典型值分别为65~85pF和7~10pF,降低了电容相关损耗。
    - 快速开关性能:具有出色的开关速度,适合高频应用。
    - 高可靠性:通过100%雪崩测试验证,确保高能脉冲下的稳定性和可靠性。
    - 高能量脉冲耐受能力:单脉冲雪崩能量达到300mJ,重复雪崩能量为12.5mJ,适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 高效开关电源:由于其低导通电阻和快速开关特性,FQP6N60C/FQPF6N60C非常适合用于提高电源转换效率。
    - 有源功率因数校正:这些器件能够在高压环境中工作,有效改善功率因数。
    - 电子灯镇流器:基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器利用其高可靠性和快速开关性能。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中充分考虑热管理,避免过热导致损坏。
    - 使用合适的栅极驱动电路以优化开关性能。
    - 注意在高能脉冲情况下可能面临的应力,适当增加散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQP6N60C/FQPF6N60C 采用标准TO-220封装,易于与其他器件进行互连。
    - 支持和维护:Fairchild半导体提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地了解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温度下运行时,器件性能会下降。
    - 解决方案:使用合适的散热器或加强散热措施,确保在安全温度范围内运行。

    - 问题:器件在高能脉冲下出现击穿现象。
    - 解决方案:检查电路设计,确保适当的栅极驱动信号和负载条件,避免过载。

    总结和推荐


    FQP6N60C/FQPF6N60C 是一款性能优异的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、快速开关性能及高可靠性等特点,适用于多种应用场合,如高效开关电源、有源功率因数校正等。考虑到其独特的技术和广泛的应用领域,我们非常推荐此款产品给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

FQPF6N60C参数

参数
最大功率耗散 40W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 2.75A,10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 5.5A
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF@25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 20nC@ 10 V
配置 独立式
通道数量 1
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQPF6N60C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF6N60C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF6N60C FQPF6N60C数据手册

FQPF6N60C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5699 ¥ 4.9043
300+ $ 0.5647 ¥ 4.8601
500+ $ 0.5595 ¥ 4.8159
1000+ $ 0.5438 ¥ 4.595
5000+ $ 0.5438 ¥ 4.595
库存: 5389
起订量: 204 增量: 1
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