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UMC5NT2G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 150mW 50V 100mA SC-88A-5 贴片安装 2.2mm*1.35mm*1mm
供应商型号: 488-UMC5NT2GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) UMC5NT2G

UMC5NT2G概述

    # 双路公共基极-集电极偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor)技术手册

    产品简介


    基本描述
    本文介绍的是ON Semiconductor公司生产的双路公共基极-集电极偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor,BRT)。该系列产品结合了单个晶体管及其内部集成的两个电阻网络(串联基极电阻和基极-发射极电阻),属于表面贴装型NPN和PNP硅晶体管。与传统的分立式解决方案相比,BRT通过将偏置电阻集成到单个封装内,简化了电路设计并显著减少了所需的板载组件数量。
    主要功能
    - 单一设备替代传统方案:集成偏置电阻网络,取代多个独立组件,如晶体管与外部电阻的组合。
    - 空间节约:特别适用于需要低功耗和紧凑布局的表面贴装应用。
    - 高可靠性:AEC-Q101认证,支持PPAP(生产件批准程序)。
    应用领域
    BRT广泛应用于汽车电子、消费电子以及工业控制等领域,特别是对尺寸敏感且要求高可靠性的场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 集电极-基极击穿电压 | V | 50 | - | - |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V | 50 | - | - |
    | 集电极电流 | mA | - | 100 | - |
    | 热阻 | °C/W | - | 833 | - |
    | 工作温度范围 | °C | -65 | - | +150 |
    其他关键指标还包括直流电流增益(hFE)、集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT))等,具体见下表:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | hFE (PNP) | - | 20 | 60 | - |
    | hFE (NPN) | - | 35 | 140 | - |
    | VCE(SAT) (PNP/NPN) | V | - | 0.25 | - |
    注释:所有参数均需在25°C环境温度下进行测试。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 简化电路设计:无需额外布置电阻网络,减少布线复杂度。
    2. 占用空间小:采用SOT-353封装,适合高密度PCB设计。
    3. 提升可靠性:支持PPAP流程及AEC-Q101标准,满足汽车行业严格的要求。
    市场竞争力
    - 兼容性强:适用于多种应用环境,支持RoHS合规。
    - 环保特性:无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(BFR-Free)。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    1. 汽车电子:用于控制单元中信号放大和驱动电路的设计。
    2. 消费类设备:例如音频放大器或功率管理模块。
    3. 工业自动化:可作为传感器信号处理节点的一部分。
    使用建议
    - 在高频率环境下,需注意散热设计以避免因热累积导致性能下降。
    - 当选择替代传统分立元件时,应确保匹配外部电路的输入输出阻抗特性。

    兼容性和支持


    兼容性
    BRT系列产品可与市场上主流的微控制器、逻辑门等芯片无缝配合,尤其适合多通道同步工作的系统。
    支持服务
    ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括但不限于设计指南、样品供应以及生产前后的技术支持文档下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 起初无法正常工作 | 检查焊接质量,确认引脚连接正确性。 |
    | 温度过高导致性能不稳定 | 增加散热措施,如添加导热片或风扇。 |
    | 输出信号失真 | 校准偏置电阻网络参数。 |

    总结和推荐


    综合评估
    BRT系列晶体管凭借其紧凑的结构设计、卓越的电气性能以及强大的环境适应能力,在现代电子设备开发中占据重要地位。无论是汽车还是消费电子行业,该产品都展现了极高的性价比和技术价值。
    推荐结论
    强烈推荐在任何需要高集成度和高性能晶体管的应用场景中选用BRT系列器件。它不仅能够有效降低开发成本,还能显著缩短产品上市时间,非常适合追求效率与创新的企业用户。

UMC5NT2G参数

参数
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 0.3mA @ 10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 100mA
配置 双commonbaseandcollector
最大功率耗散 150mW
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
长*宽*高 2.2mm*1.35mm*1mm
通用封装 SC-88A-5
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMC5NT2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

UMC5NT2G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR UMC5NT2G UMC5NT2G数据手册

UMC5NT2G封装设计

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Symbol
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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0523 ¥ 0.4377
6000+ $ 0.0469 ¥ 0.3924
15000+ $ 0.041 ¥ 0.3432
21000+ $ 0.0392 ¥ 0.3278
30000+ $ 0.0374 ¥ 0.3128
75000+ $ 0.0334 ¥ 0.2798
150000+ $ 0.031 ¥ 0.2595
300000+ $ 0.0293 ¥ 0.2448
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 1
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