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NSS40201LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流2 A, 最大集电极-发射电压40 V
供应商型号: NSS40201LT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS40201LT1G

NSS40201LT1G概述

    # 低饱和电压晶体管 NSS40201LT1G/NSV40201LT1G 技术手册

    产品简介


    NSS40201LT1G 和 NSV40201LT1G 是由 ON Semiconductor 公司制造的低饱和电压(VCE(sat))NPN型晶体管。它们属于e2PowerEdge系列,主要用于低电压、高开关速度的应用场合,如便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理。具体应用包括手机、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器等消费电子产品。此外,这些晶体管还适用于汽车工业中的气囊部署和仪表盘等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 40 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压 (VCBO): 40 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压 (VEBO): 6.0 Vdc
    - 持续集电极电流 (IC): 2.0 A
    - 峰值集电极电流 (ICM): 6.0 A
    - 人体模型静电放电 (ESD HBM): 3B 类
    - 机器模型静电放电 (ESD MM): C 类
    热特性
    - 总耗散功率 (TA = 25°C):
    - PD: 460 mW
    - RθJA: 270 °C/W
    - 总耗散功率 (TA = 25°C):
    - PD: 540 mW
    - RθJA: 230 °C/W
    电气特性
    - 开启状态下的直流电流增益 (hFE):
    - IC = 10 mA, VCE = 2.0 V: 200
    - IC = 500 mA, VCE = 2.0 V: 200
    - IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V: 180
    - IC = 2.0 A, VCE = 2.0 V: 180
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = 0.1 A, IB = 0.010 A: 0.006 V
    - IC = 1.0 A, IB = 0.100 A: 0.044 V
    - IC = 1.0 A, IB = 0.010 A: 0.085 V
    - IC = 2.0 A, IB = 0.200 A: 0.082 V
    开关特性
    - 开通延迟时间 (td): 100 ns
    - 开通上升时间 (tr): 100 ns
    - 存储时间 (ts): 750 ns
    - 关断下降时间 (tf): 110 ns

    产品特点和优势


    NSS40201LT1G 和 NSV40201LT1G 具有以下独特功能和优势:
    - 低饱和电压: 在大电流下保持低饱和电压,提高效率。
    - 高电流增益: 支持直接驱动,简化电路设计。
    - 环保材料: 无铅、无卤素、符合RoHS标准,适合对环保要求较高的应用场合。
    - AEC-Q101认证: 适用于汽车和其他需要特殊测试要求的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC转换器: 由于其高效率和低饱和电压,非常适合用于电源管理。
    - 便携设备: 如手机、笔记本电脑等,提供高效能能量控制。
    - 汽车应用: 在汽车中可以用于气囊系统和仪表板控制。
    使用建议
    - 热管理: 注意其热特性,确保散热良好,特别是在连续高负载运行时。
    - 封装选择: 选择SOT-23封装,易于集成到现有电路板上。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NSS40201LT1G 和 NSV40201LT1G 与标准SOT-23封装兼容,适用于多种印刷电路板。
    - 支持: ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档、在线技术支持等。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高负载下过热。
    - 解决方案: 加强散热措施,使用散热片或者散热风扇。
    - 问题: 无法达到预期的电流增益。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保适当的偏置条件。
    - 问题: 不能承受预期的电压。
    - 解决方案: 检查输入电压是否在额定范围内。

    总结和推荐


    NSS40201LT1G 和 NSV40201LT1G 是优秀的低饱和电压晶体管,具有出色的性能和可靠性。它们在多种应用场合中表现出色,尤其是在便携式设备和汽车应用中。如果您正在寻找一款高效的晶体管,这些型号是不错的选择。强烈推荐给那些寻求高性能、环保且可靠晶体管的设计工程师。
    总之,NSS40201LT1G 和 NSV40201LT1G 以其低饱和电压、高电流增益和环保材料在多个应用领域表现出卓越性能。强烈推荐用于各种电源管理和高频开关应用。

NSS40201LT1G参数

参数
晶体管类型 NPN
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 115mV@ 200mA,2A
集电极电流 2A
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 40V
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
集电极截止电流 100nA
最大集电极发射极饱和电压 115mV@ 200mA,2A
最大功率耗散 540mW
VEBO-最大发射极基极电压 6V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSS40201LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS40201LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSS40201LT1G NSS40201LT1G数据手册

NSS40201LT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.8732
6000+ ¥ 0.8584
12000+ ¥ 0.8436
24000+ ¥ 0.8288
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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