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FQPF8N60C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 48W(Tc) 30V 4V@ 250µA 36nC@ 10 V 1个N沟道 600V 1.2Ω@ 3.75A,10V 7.5A 1.255nF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.16mm*4.7mm*19.1mm
供应商型号: CY-FQPF8N60C
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF8N60C

FQPF8N60C概述


    产品简介


    FQPF8N60C N-Channel QFET® MOSFET
    FQPF8N60C 是一款采用 Fairchild 先进平面条纹 DMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(N-Channel QFET® MOSFET)。这款 MOSFET 适用于多种高效率应用,包括开关模式电源供应、主动式功率因数校正及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 最高栅极电压 (VGSS):±30V
    - 漏源电压 (VDSS):600V
    - 连续漏电流 (ID):7.5A(TC=25°C),4.6A(TC=100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):30A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):230mJ
    - 功率耗散 (PD):48W(TC=25°C),每上升1°C降额0.38W
    热特性
    - 热阻(结至外壳) (RθJC):最大值2.6°C/W
    - 热阻(结至环境) (RθJA):最大值62.5°C/W
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.2Ω(VGS=10V,ID=3.75A)
    - 总栅极电荷 (Qg):28nC(典型值)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:典型值为28nC,有助于降低驱动电路的功耗。
    - 低Crrs:典型值为12pF,减少开关过程中的高频噪声干扰。
    - 100%雪崩测试:确保器件的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在高频开关电源中表现出色,能有效提高效率。
    - 功率因数校正:适合用于提升系统的功率因数,特别是在大功率应用中。
    - 电子镇流器:适用于各种灯具的控制,能提供稳定的电流和电压输出。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,避免因过热导致的损坏。
    - 在设计时考虑电容和电感的匹配,以优化整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与多数现有的标准电路板和系统具有良好的兼容性。
    - 支持和服务:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和客户服务,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助和指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的结温导致器件失效。
    解决方案:确保散热设计充分,避免长时间工作在高温环境中。

    - 问题:栅极电荷过高影响开关速度。
    解决方案:选用更低栅极电荷的产品型号或优化电路布局以减少栅极电荷的影响。

    总结和推荐


    总结:
    FQPF8N60C N-Channel QFET® MOSFET 在高效率开关电源、功率因数校正和电子镇流器等领域展现出色的性能和可靠性。它具备低栅极电荷和低Crrs等独特优势,使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:
    基于其卓越的性能和广泛应用能力,强烈推荐使用 FQPF8N60C N-Channel QFET® MOSFET。在设计时应注意合适的散热和电路布局,以充分发挥其性能。

FQPF8N60C参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 3.75A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.255nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 36nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 7.5A
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
最大功率耗散 48W(Tc)
通道数量 1
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQPF8N60C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF8N60C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF8N60C FQPF8N60C数据手册

FQPF8N60C封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.6756 ¥ 5.8133
300+ $ 0.6694 ¥ 5.7609
500+ $ 0.6632 ¥ 5.7085
1000+ $ 0.6446 ¥ 5.4467
5000+ $ 0.6446 ¥ 5.4467
库存: 14357
起订量: 173 增量: 1
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 581.33
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型号 价格(含增值税)
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144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336