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NTMT090N65S3HF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NTMT090N系列, Vds=650 V, 36 A, PQFN4 8 x 8封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: NTMT090N65S3HF
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMT090N65S3HF

NTMT090N65S3HF概述

    # ON Semiconductor NTMT090N65S3HF MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    NTMT090N65S3HF 是 ON Semiconductor 的新一代 SUPERFET III 系列 N 沟道超级结(Super-Junction)功率 MOSFET,采用先进的电荷平衡技术,旨在实现低导通电阻(RDS(on))和较低的栅极电荷(Qg),以提升转换效率并降低损耗。这款产品适用于多种高压电源系统,特别适合需要小型化、高效率的应用场景,如电信/服务器电源、工业电源、UPS、太阳能逆变器、照明系统、充电器及适配器。
    该产品通过改进的反向恢复性能显著提升了体二极管的工作效率,同时采用了超薄 Power88 封装(高度仅 1mm,体积小巧),为高密度电路设计提供了极大的便利。

    2. 技术参数


    以下为 NTMT090N65S3HF 的核心技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 耐压(VDS) | 650 | 700 | 700 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | — | 75(@ 10V) | 90 | mΩ |
    | 持续电流(ID) | — | 36(@ 25°C)| 22.8(@ 100°C)| A |
    | 冲击电流(IDM) | — | — | 90 | A |
    | 峰值 dv/dt 阈值 | — | 100 | — | V/ns |
    | 并联雪崩耐受能量(EAS)| — | — | 440 | mJ |
    此外,它还具备出色的动态特性,如总栅极电荷(Qg)典型值仅为 66nC,输出电容(Coss)有效值为 569pF。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 卓越的开关性能:得益于 SUPERFET III 技术的高能效设计,该器件能够实现更低的导通电阻与更高的开关速度。
    - 优化的反向恢复特性:改善了体二极管的反向恢复性能,减少了额外元器件的需求,从而提高了整体系统的可靠性和简洁性。
    - 紧凑封装:采用 Power88 封装形式,高度仅为 1mm,为设计提供了灵活性,并且具有 MSL 1 等级,提升了焊接可靠性。
    市场竞争力
    此产品广泛应用于通信电源、工业电源、太阳能发电系统等领域,尤其是在追求高效率、低能耗的设计项目中,具有显著的竞争优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电信/服务器电源:利用其高效率特性减少能耗。
    - 工业电源:适用于需高可靠性的场合。
    - 太阳能逆变器:结合高效的开关性能优化能源转换。
    - 照明系统:提升 LED 驱动电路的整体性能。
    使用建议
    - 在设计时注意热管理,确保良好的散热设计以避免过温降额。
    - 根据负载需求合理选择驱动电阻值,以达到最佳的开关性能。
    - 注意栅极驱动电路的设计,防止振荡现象的发生。

    5. 兼容性和支持


    NTMT090N65S3HF 支持标准的 Power88 封装,并且与同类产品具有良好的兼容性,便于替换或升级现有设计方案。ON Semiconductor 提供全面的技术支持服务,包括在线文档、样片申请和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常噪声 | 检查驱动电路是否存在布局问题 |
    | 散热不足导致性能下降 | 增加散热措施,例如加大铜板面积或增加风扇 |
    | 开启或关闭延迟时间过长 | 调整栅极驱动电阻至合适范围 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTMT090N65S3HF MOSFET 在性能、效率和成本方面表现出色,非常适合于现代电力电子系统的设计需求。它的高耐压能力、低导通电阻以及优化的开关特性使其成为各类电源管理和转换应用的理想选择。
    推荐指数:★★★★☆
    推荐理由:适用于需要高效率、高性能的电源解决方案,并且易于集成到现有的设计中。
    如需了解更多详细信息,请访问官方网站 [www.onsemi.com](https://www.onsemi.com) 或联系技术支持团队获取帮助。

NTMT090N65S3HF参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.93nF@ 400V
Id-连续漏极电流 36A
最大功率耗散 272W
栅极电荷 66nC@ 10V
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装

NTMT090N65S3HF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMT090N65S3HF数据手册

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NTMT090N65S3HF封装设计

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