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J113

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi JFET, N通道, 通孔安装, TO-92封装, 3引脚, Idss: min. 2mA
供应商型号: SXE-J113
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) J113

J113概述

    N-Channel Switch MMBFJ113/D 技术手册

    1. 产品简介


    MMBFJ113/D 是一种用于低电平模拟开关、采样保持电路及斩波稳压放大器的N沟道场效应晶体管。这些器件采用51号工艺制造,并且源极和漏极可互换使用。它们是无铅产品,适用于各种电子设备的应用场合。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏-栅电压(VDG): 35V
    - 栅-源电压(VGS): ±35V
    - 正向栅电流(IGF): 50mA
    - 工作及存储温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热特性
    - 总功率耗散(PD):
    - J111/J112/J113: 625mW
    - MMBFJ111/MMBFJ112/MMBFJ113: 350mW
    - 每度温度降额(Derate Above 25°C):
    - J111/J112/J113: 5.0mW/°C
    - MMBFJ111/MMBFJ112/MMBFJ113: 2.8mW/°C
    - 热阻抗(J111/J112/J113):
    - RJC (结到壳): 125°C/W
    - RJA (结到环境): 200°C/W
    - MMBFJ111/MMBFJ112/MMBFJ113:
    - RJC (结到壳): 125°C/W
    - RJA (结到环境): 357°C/W
    - 电气特性
    - 截止时漏极-源极漏电流(ID(off)): VDS = 5.0V, VGS = -10V, 最大值为1.0nA
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS): VDS = 15V, VGS = 0, 最大值分别为20mA (J111), 5.0mA (J112), 2.0mA (J113)
    - 导通电阻(rDS(on)): VDS ≤ 0.1V, VGS = 0, 最小值分别为30Ω (J111), 50Ω (J112), 100Ω (J113)
    - 开关寄生电容(Cdg(on)/Csg(on)): VDS = 0, VGS = 0, f = 1.0MHz, 最大值为28pF
    - 关断状态时栅极-漏极电容(Cdg(off)): VDS = 0, VGS = -10V, f = 1.0MHz, 最大值为5.0pF

    3. 产品特点和优势


    MMBFJ113/D 作为一种高性能N沟道场效应晶体管,在多种电子设备中表现出色。其关键优势如下:
    - 通用性: 源极和漏极可互换使用,提高了设计灵活性。
    - 低导通电阻: 保证在不同条件下的高效率运行。
    - 低功耗: 有效减少发热,延长使用寿命。
    - 宽工作温度范围: 适合于极端环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    MMBFJ113/D 常用于模拟信号处理和控制电路中。例如,在高精度信号调节器和滤波器中,它能够提供可靠的开关性能。根据实际应用需求,以下是一些建议:
    - 在设计电路时考虑寄生电容的影响,以确保系统稳定。
    - 在极端环境下工作时,需注意散热措施,防止过热。
    - 使用多个器件并联,以增加整体耐受电流能力。

    5. 兼容性和支持


    MMBFJ113/D 与其他标准电子元器件兼容。厂商提供了详细的安装指南和技术支持文档,确保客户能够正确安装和使用产品。如有任何疑问,可随时联系技术支持团队获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温下器件温度上升太快。
    - 解决方法: 使用更大的散热片或改进散热设计,确保散热路径畅通。
    - 问题: 开关时出现噪声。
    - 解决方法: 确保栅极驱动信号稳定,减少干扰源。
    - 问题: 测量到的漏电流高于预期。
    - 解决方法: 检查接线是否松动或接触不良,重新焊接连接点。

    7. 总结和推荐


    MMBFJ113/D 的卓越性能使其成为模拟开关和放大器应用的理想选择。其广泛的温度范围、良好的热稳定性以及低功耗特性,使其在市场上具有很强的竞争力。综合评估后,我们强烈推荐使用 MMBFJ113/D,特别是对于需要高可靠性和高性能的应用场景。

J113参数

参数
Id-连续漏极电流 2mA~9mA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 350mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率 625mW
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 500mV@ 1µA
击穿电压 35V
通道数量 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 2mA
Rds(On)-漏源导通电阻 100Ω
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 35V
5.2mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

J113厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

J113数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR J113 J113数据手册

J113封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 1.0432
100+ ¥ 1.0259
500+ ¥ 1.0084
1000+ ¥ 0.8693
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