处理中...

首页  >  产品百科  >  5LP01M-TL-H

5LP01M-TL-H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 150mW(Ta) 10V 1.4nC@ 10 V 1个P沟道 50V 23Ω@ 40mA,4V 70mA 7.4pF@10V SOT-323 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CY-5LP01M-TL-H
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 5LP01M-TL-H

5LP01M-TL-H概述

    # 高性能P通道小信号MOSFET:5LP01M

    产品简介


    5LP01M是一款P通道小信号金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Small Signal MOSFET),由Semiconductor Components Industries, LLC(ON Semiconductor)设计制造。该产品具有低导通电阻、超高速开关能力、1.5V驱动电压和无卤素合规等特点,适用于多种电子设备中,如电源管理、通信设备和消费电子产品。

    技术参数


    5LP01M的主要技术参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最大值/典型值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | ID= -1mA, VGS=0V | -50 | V |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | VGS=±8V, VDS=0V | ±10 | μA |
    | 截止电压 | VGS(off) | VDS= -10V, ID= -100μA| -0.4至-1.4| V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on)1 | ID= -40mA, VGS= -4V | 18至23 | Ω |
    | 转移电导 yfs VDS= -10V, ID= -40mA | 70至100 | mS |
    | 输入电容 | Ciss | VDS= -10V, f=1MHz | 7.4 | pF |
    | 输出电容 | Coss 4.2 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss 1.3 | pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) 20 | ns |
    | 上升时间 | tr 35 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) 160 | ns |
    | 下降时间 | tf 150 | ns |

    产品特点和优势


    5LP01M的突出特点包括:
    - 低导通电阻:该特性使得MOSFET能够在较低电压下高效工作,从而提高电路的整体能效。
    - 超高速开关:快速的开关速度减少了能量损耗和电磁干扰,特别适合高频应用。
    - 1.5V驱动电压:这使得5LP01M可以使用较低的驱动电压,降低功耗并简化系统设计。
    - 无卤素合规:符合环保要求,有助于绿色生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    5LP01M广泛应用于电源转换、通信设备和消费电子产品中。例如,在电源适配器中作为开关元件,提高效率;在通信模块中减少发热,提升可靠性。
    使用建议
    1. 工作条件:确保工作温度和电压不超过推荐的最大额定值,避免器件损坏。
    2. 布局设计:在电路板布局时,尽量减小输入电容(Ciss)和其他寄生电容的影响,以提高开关速度。
    3. 驱动电路:由于1.5V驱动电压,选择合适的驱动电路,保证足够的门极电荷供给。

    兼容性和支持


    5LP01M提供两种封装选项:SC-70和SOT-323,每卷3000个包装。该产品与市面上大多数标准电路板设计兼容。厂商提供了详细的资料和在线技术支持,确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何防止静电损坏?
    - 解决方法:在处理过程中使用防静电腕带和工作台,确保工作环境符合ESD规范。
    2. 驱动电压不足怎么办?
    - 解决方法:选择合适的驱动IC,或者调整现有的电源供应,确保提供足够的驱动电压。
    3. 如何验证产品的可靠性?
    - 解决方法:在实际应用前进行完整的电气特性测试和可靠性测试,确保产品符合预期标准。

    总结和推荐


    5LP01M凭借其低导通电阻、高开关速度和环保特性,在同类产品中具有明显优势。适合在多种应用中使用,尤其适用于需要高效能、低功耗的应用场合。强烈推荐在设计中考虑使用5LP01M,特别是在要求高性能的小信号MOSFET的项目中。

5LP01M-TL-H参数

参数
最大功率耗散 150mW(Ta)
栅极电荷 1.4nC@ 10 V
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 50V
Rds(On)-漏源导通电阻 23Ω@ 40mA,4V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.4pF@10V
Id-连续漏极电流 70mA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

5LP01M-TL-H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

5LP01M-TL-H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 5LP01M-TL-H 5LP01M-TL-H数据手册

5LP01M-TL-H封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.0518 ¥ 0.4375
5000+ $ 0.0518 ¥ 0.4375
库存: 738122
起订量: 2286 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 437.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336