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NVH4L022N120M3S

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 151nC@ 18 V 3.175nF@800V 30mΩ@ 40A,18V 68A 1.2KV 1个N沟道 TO-247-4L 通孔安装
供应商型号: AV-S-ONSNVH4L022N120M3S
供应商: Avnet
标准整包数: 30
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NVH4L022N120M3S

NVH4L022N120M3S概述

    NVH4L022N120M3S 硅碳化物(SiC)MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVH4L022N120M3S 是一款由 ON Semiconductor 生产的硅碳化物(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于汽车和工业领域的高功率转换应用。这款 MOSFET 的额定电压为 1200V,典型导通电阻(RDS(on))仅为 22毫欧姆(@ VGS = 18V),并且具备出色的开关性能。它具有极低的门极电荷(QG(tot) = 151nC)和高速开关能力(Coss = 244pF),非常适合用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)和其它高效率电力转换系统。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极-源极电压(VDSS):1200V
    - 栅极-源极电压(VGS):-10/+22V
    - 连续漏极电流(ID):68A
    - 功率耗散(PD):352W
    - 脉冲漏极电流(IDM):246A
    - 最大接点温度和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 推荐操作条件
    - 栅极-源极电压(VGSop):-3/+18V
    - 推荐工作温度(TC < 175°C)
    - 单脉冲雪崩耐受能量(EAS):267mJ
    - 电气特性
    - 门限电压(VGS(TH)):2.04V 至 4.4V
    - 导通电阻(RDS(on)):22毫欧姆(@ VGS = 18V, ID = 40A, TJ = 25°C)
    - 输入电容(CISS):3175pF(@ VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
    - 输出电容(COSS):146pF
    - 逆向转移电容(CRSS):12pF
    - 总门极电荷(QG(TOT)):151nC

    产品特点和优势


    - 极低的导通电阻:22毫欧姆,可在高温环境下保持稳定性能。
    - 超低门极电荷:仅需少量的能量来驱动门极,有效减少开关损耗。
    - 快速开关:超低输出电容,使得在高频应用中表现优异。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试,确保在极端条件下仍能正常运行。
    - 环保设计:无卤素,符合RoHS标准,且在焊接时可承受高达300°C的温度。

    应用案例和使用建议


    NVH4L022N120M3S 广泛应用于汽车、电动和混合动力车辆领域,特别是用于车载充电器(On Board Charger)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和牵引逆变器(Traction Inverter)。这些应用需要高效率和可靠的电力转换。
    使用建议:
    - 在应用此MOSFET时,注意控制栅极电压在推荐范围内(-3/+18V),以避免损坏。
    - 使用合适的散热措施,特别是在连续运行状态下,避免因过热导致的性能下降。
    - 配合外部电路设计合理的驱动电路,确保开关损耗最小化,提高整体系统效率。

    兼容性和支持


    NVH4L022N120M3S 支持与同类 SiC MOSFET 和相关控制器板的互换,方便设计者在不同项目间进行替换。此外,ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助工程师更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过高的栅极电压?
    - 解决办法:在设计电路时,使用分压器或者稳压电路来控制栅极电压,确保其不超过推荐的最大值。

    - 问题2:产品长时间运行时发热严重怎么办?
    - 解决办法:采用良好的散热设计,例如增加散热片或者使用水冷系统,确保设备处于最佳工作温度范围内。

    总结和推荐


    NVH4L022N120M3S SiC MOSFET 在高性能和高效率电力转换应用中表现出色,具备优秀的导通电阻、快速开关能力和出色的温度稳定性。尤其适合于汽车和工业领域的高压、大电流应用。其环保设计和高度的可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐此产品用于上述应用场合,特别是需要高效率和可靠性的设计项目。
    如果您有任何疑问或需要技术支持,ON Semiconductor 提供了详细的文档和技术支持,您可以随时联系他们获取更多信息。

NVH4L022N120M3S参数

参数
Id-连续漏极电流 68A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
通道数量 -
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率 -
击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 40A,18V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 151nC@ 18 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.175nF@800V
通用封装 TO-247-4L
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

NVH4L022N120M3S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVH4L022N120M3S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S数据手册

NVH4L022N120M3S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ $ 18.0398 ¥ 159.6519
90+ $ 17.8787 ¥ 158.2264
库存: 13500
起订量: 30 增量: 30
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