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FCP104N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 357W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 82nC@ 10 V 1个N沟道 600V 104mΩ@ 18.5A,10V 37A 4.165nF@380V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FL-FCP104N60
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCP104N60

FCP104N60概述

    FCP104N60 — N沟道 SuperFET® II MOSFET

    产品简介


    FCP104N60 是飞兆半导体公司推出的一款高性能 N 沟道 SuperFET® II MOSFET。这款 MOSFET 主要应用于高压和高频率环境下的电力转换系统。其主要功能是作为开关器件,广泛应用于通信/服务器电源和工业电源等领域。SuperFET® II MOSFET 的特点是具有超低导通电阻和非常低的栅极电荷,从而能够实现更高的效率和更小的功率损耗。

    技术参数


    - 漏极-源极电压 (VDSS): 600 V
    - 栅极-源极电压 (VGSS): DC ±20 V,AC (f > 1 Hz) ±30 V
    - 漏极电流 (ID):
    - 连续 (TC = 25°C): 37 A
    - 连续 (TC = 100°C): 24 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 809 mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR): 3.57 mJ
    - MOSFET dv/dt: 100 V/ns
    - 二极管恢复 dv/dt 峰值: 20 V/ns
    - 功耗 (PD): 357 W (TC = 25°C)
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 结至外壳热阻 (RθJC): 0.35 °C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA): 40 °C/W

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻 (RDS(on)): 在 10 V 栅极电压下,典型值为 96 mΩ。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 典型值为 63 nC,有助于提高开关速度。
    - 低有效输出电容 (Coss(eff.)): 典型值为 280 pF,减少高频干扰。
    - 100% 雪崩测试: 确保在极端条件下也能可靠运行。
    - 符合 RoHS 标准: 环保设计。

    应用案例和使用建议


    FCP104N60 MOSFET 主要用于交流-直流 (AC-DC) 功率转换系统。例如,在通信/服务器电源中,它可以帮助实现更高的能效和更小的体积。在工业电源应用中,它能够承受高压和高频环境,确保稳定可靠的电力转换。
    使用建议:
    1. 散热管理: 由于功耗较大,需要确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇。
    2. 驱动电路设计: 需要设计合适的栅极驱动电路,以确保 MOSFET 的正常开启和关闭。
    3. 布局优化: PCB 设计时,应尽量缩短 MOSFET 的引脚长度,减少寄生电感。

    兼容性和支持


    FCP104N60 MOSFET 采用标准 TO-220 封装,可方便地与其他电子元器件兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够在使用过程中获得及时帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何正确选择驱动电阻?
    - A: 根据 MOSFET 的特性曲线和实际应用需求选择合适的驱动电阻。通常可以通过试错法找到最优值。
    2. Q: MOSFET 在高温环境下运行是否会损坏?
    - A: 需要注意 MOSFET 的最大工作温度限制,并采取适当的散热措施。在超过温度限制时,MOSFET 可能会过热损坏。
    3. Q: 如何避免 MOSFET 的雪崩击穿?
    - A: 在设计电路时,应考虑外部瞬态电压保护器件(如瞬态电压抑制二极管),以防止电压过高导致 MOSFET 损坏。

    总结和推荐


    FCP104N60 N 沟道 SuperFET® II MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,特别适合高压和高频率的电力转换应用。其超低导通电阻和低栅极电荷特性使其在开关电源设计中表现出色。然而,在使用过程中需要注意散热管理和驱动电路的设计,以确保最佳性能和稳定性。总体而言,这款 MOSFET 是值得推荐的优秀产品。
    更多关于 ON Semiconductor 的信息,请访问我们的网站 www.onsemi.com。

FCP104N60参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 104mΩ@ 18.5A,10V
配置 独立式
栅极电荷 82nC@ 10 V
通道数量 1
最大功率耗散 357W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.165nF@380V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 37A
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FCP104N60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCP104N60数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCP104N60 FCP104N60数据手册

FCP104N60封装设计

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