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NVMFS5113PLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),150W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 83nC@ 10 V 1个P沟道 60V 14mΩ@ 17A,10V 10A,64A 4.4nF@25V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: 31M-NVMFS5113PLT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5113PLT1G

NVMFS5113PLT1G概述

    NVMFS5113PL MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMFS5113PL 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的P-通道功率MOSFET,具有单个开关单元。它特别适用于需要高电流承载能力和低导通损耗的应用场合。这款产品主要应用于电源管理和电池管理等领域。

    技术参数


    - 额定电压:-60 V(VDSS)
    - 连续漏极电流:-64 A(TC = 25°C),-45 A(TC = 100°C)
    - 栅源电压:±20 V(VGS)
    - 最大功耗:150 W(TC = 25°C),75 W(TC = 100°C)
    - 导通电阻(典型值):14 mΩ(VGS = -10 V,ID = -17 A)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至14 mΩ,能显著减少导通损耗,提高效率。
    - 高电流能力:能够承受高达64 A的连续漏极电流。
    - 雪崩能量指定:具备在极端条件下工作的能力。
    - 环保材料:无铅,无卤素,符合RoHS标准。
    - 汽车应用资格认证:通过AEC-Q101认证,适合于需要严格控制和特殊要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于开关电源、电池管理和其他需要高可靠性和低损耗的系统。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意其散热设计以避免过热。
    - 使用过程中应确保足够的栅极驱动,以达到最佳的开关性能。


    兼容性和支持


    - 封装形式:DFN5 5x6,1.27P
    - 兼容性:可与多种主板和控制器配合使用。
    - 制造商支持:提供详细的技术文档、应用指南以及售后服务支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何选择合适的栅极驱动?
    - 解决办法:根据应用需求选择适当的栅极电阻,以确保快速且可靠的开关性能。

    - 问题二:如何确保散热良好?
    - 解决办法:使用散热片或散热器,并确保良好的空气流通,以提高散热效率。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5113PL 是一款性能卓越、可靠且适合广泛应用的P-通道功率MOSFET。其低导通电阻和高电流能力使其成为许多高效率电源管理系统的关键部件。对于那些追求高性能和可靠性应用的设计工程师来说,这款产品是理想的选择。强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用场合中使用NVMFS5113PL。

NVMFS5113PLT1G参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.8W(Ta),150W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.4nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 83nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 10A,64A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 17A,10V
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5113PLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5113PLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PLT1G数据手册

NVMFS5113PLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 15.5839
10+ ¥ 11.7041
30+ ¥ 9.3711
100+ ¥ 8.0822
500+ ¥ 7.2141
1000+ ¥ 6.7
库存: 1394
起订量: 1 增量: 1500
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