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NTD25P03LG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W(Tj) 15V 2V@ 250µA 20nC@ 5 V 1个P沟道 30V 80mΩ@ 25A,5V 25A 1.26nF@25V TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
供应商型号: LDL-NTD25P03LG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD25P03LG

NTD25P03LG概述

    # NTD25P03L MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本信息
    NTD25P03L 是一款P沟道逻辑电平MOSFET,专为低电压、高速开关应用设计,具有出色的抗高能浪涌能力。其源极到漏极二极管的恢复时间与独立的快速恢复二极管相当。该器件主要用于脉宽调制(PWM)电机控制、电源管理、转换器及桥式电路等领域。
    应用领域
    - PWM电机控制
    - 电源供应系统
    - 电力转换
    - 桥式电路

    2. 技术参数


    以下是NTD25P03L的关键技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDSS) | -30 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±15 | V |
    | 漏极电流(连续)(ID) | -25 | A |
    | 单脉冲漏极电流(IDM) | -75 | A |
    | 总功率耗散(PD) | 75 | W |
    | 热阻(Junction-to-Ambient) | 67 | °C/W |
    | 开启电阻(RDS(on)) | 51 mΩ
    其他参数:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 200 mJ
    - 最大引脚焊接温度(TL): 260°C

    3. 产品特点和优势


    特点
    1. 环保认证:无铅且符合RoHS标准。
    2. 适用性广泛:支持汽车和其他特殊工业需求,符合AEC-Q101标准。
    3. 优异的开关性能:优秀的输入和输出电容特性使其适合高频应用。
    4. 强大的浪涌保护:在雪崩模式和换向模式下具备高能量承受能力。
    优势
    - 快速响应:低开启电阻和短开关延迟时间适合高速开关。
    - 可靠性高:通过严格的质量检测流程,满足长期稳定运行要求。
    - 市场竞争力:卓越的耐压和高流速表现使其在同类型产品中脱颖而出。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 电机驱动:NTD25P03L可以高效地驱动各类电机,如风扇和泵。
    - 电源模块:应用于中小功率DC-DC转换器中,确保稳定供电。
    - 桥式电路:用于半桥或全桥拓扑结构中作为开关器件。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,需关注热管理,建议配合散热片以降低热阻。
    - 避免超过最大额定值运行,以延长使用寿命。
    - 对于关键应用场合,建议结合仿真工具优化驱动电路。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与多种微控制器接口,适用于主流功率系统设计。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详尽的文档和技术支持服务,确保客户获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 减小栅极电阻值,优化电路布局以降低热效应 |
    | 启动后电流过大 | 确保初始条件符合数据表中的测试要求 |
    | 无法达到预期效率 | 检查外围电路匹配情况,调整驱动波形 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NTD25P03L以其卓越的性能和广泛的适用性成为理想的选择。它的快速开关能力和高能耐受力使其非常适合现代电子系统的紧凑设计。此外,环保认证和全面的技术支持使其在市场上具有强大的竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐此产品用于需要高性能、可靠性和绿色环保要求的应用场景。无论是PWM电机控制还是电源转换,NTD25P03L都表现出色,能够帮助工程师实现更高效率的设计目标。

    以上是对NTD25P03L技术手册的深度解读,希望对您的选型和应用提供有力支持!

NTD25P03LG参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 25A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 25A,5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 15V
配置 独立式
栅极电荷 20nC@ 5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.26nF@25V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 75W(Tj)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD25P03LG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD25P03LG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD25P03LG NTD25P03LG数据手册

NTD25P03LG封装设计

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