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HUF76619D3S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W(Tc) 16V 3V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 100V 85mΩ@ 18A,10V 18A 767pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-HUF76619D3S
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF76619D3S

HUF76619D3S概述


    产品简介


    HUF76619D3 和 HUF76619D3S 是由 Fairchild Semiconductor 公司生产的 N-通道逻辑电平超快 UltraFET® 功率 MOSFET。这些 MOSFET 具有极低的导通电阻(rDS(ON)),适用于各种高效率的应用场合,如开关电源、马达驱动器和通信系统等。

    技术参数


    主要电气特性
    - 漏源电压 (VDSS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±16V
    - 连续漏电流 (TC = 25°C, VGS = 5V):12A
    - 连续漏电流 (TC = 25°C, VGS = 10V):18A
    - 脉冲漏电流 (IDM):18A
    - 脉冲雪崩电流 (UIS):参见相关图表
    - 最大功率耗散 (PD):75W
    温度和环境参数
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 175°C
    - 最高焊接温度 (TL):300°C
    - 封装体温度 (Tpkg):260°C
    热阻参数
    - 结至外壳热阻 (RθJC):2.0°C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA):100°C/W
    开关参数
    - 开时间 (tON):137ns (VGS = 4.5V), 53ns (VGS = 10V)
    - 关时间 (tOFF):111ns (VGS = 4.5V), 153ns (VGS = 10V)
    门极电荷参数
    - 总门极电荷 (Qg(TOT)):24-29nC (VGS = 0V 至 10V)
    电容参数
    - 输入电容 (CISS):767pF
    - 输出电容 (COSS):138pF
    - 反向传输电容 (CRSS):20pF

    产品特点和优势


    HUF76619D3 和 HUF76619D3S 具有以下显著特点和优势:
    - 极低的导通电阻:0.087Ω (VGS = 5V),0.085Ω (VGS = 10V),使得其在高电流应用中具有出色的效率。
    - 丰富的仿真模型:提供了温度补偿的 PSPICE® 和 SABER™ 电气模型,以及 SPICE 和 SABER 热阻模型,便于电路设计和仿真验证。
    - 优秀的热管理能力:具有较低的结至外壳热阻 (2.0°C/W),保证在高温环境下稳定运行。
    - 快速开关特性:短的开关时间和小的栅极电荷,有助于提高系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    HUF76619D3 和 HUF76619D3S 在多种应用场景中表现出色:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和快速开关特性,可以提高电源转换效率。
    - 马达驱动器:适用于需要高频驱动的电动机控制系统。
    - 通信设备:作为保护和控制器件,保障系统的安全可靠。
    使用建议:
    - 散热设计:在高功耗应用中,需考虑有效的散热设计以避免过热问题。
    - 门极电阻匹配:选择合适的门极电阻以确保快速可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    HUF76619D3 和 HUF76619D3S 与其现有封装和相关系列产品具有良好的兼容性。Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术支持文档,包括应用笔记和设计指南,帮助用户优化设计并获得最佳性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温度下工作不稳定。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或风扇,确保良好的热管理。

    - 问题:门极驱动电压不足。
    - 解决方案:检查门极电阻选择是否合适,调整为更合适的值。

    总结和推荐


    HUF76619D3 和 HUF76619D3S 具有出色的电气性能和可靠性,非常适合高效率、高频率的应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为许多关键应用的理想选择。我们强烈推荐在高要求的设计中采用这些产品。

HUF76619D3S参数

参数
栅极电荷 29nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 18A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 767pF@25V
Id-连续漏极电流 18A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 75W(Tc)
Vgs-栅源极电压 16V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

HUF76619D3S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF76619D3S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUF76619D3S HUF76619D3S数据手册

HUF76619D3S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2509 ¥ 2.1596
500+ $ 0.2486 ¥ 2.14
1000+ $ 0.2416 ¥ 2.0418
5000+ $ 0.2416 ¥ 2.0418
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起订量: 464 增量: 1
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