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NVMFS5C404NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),200W(Tc) 20V 4V@ 250µA 128nC@ 10 V 1个N沟道 40V 700μΩ@ 50A,10V 53A,378A 8.4nF@25V SO 贴片安装
供应商型号: NVMFS5C404NWFT1G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C404NWFT1G

NVMFS5C404NWFT1G概述

    NVMFS5C404N MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:用于电源管理和转换应用中的开关控制,特别适合高效率要求的应用场合。
    应用领域:
    - 开关电源设计
    - 工业控制设备
    - 电动汽车及混合动力汽车系统
    - LED照明
    - 消费类电子产品

    2. 技术参数


    最大额定值:
    - 漏源电压 VDSS:40 V
    - 栅源电压 VGS:±20 V
    - 连续漏电流 ID:25°C 下 378 A,100°C 下 267 A
    - 功耗 PD:25°C 下 200 W,100°C 下 100 W
    - 单脉冲漏源雪崩能量 EAS:907 mJ
    电气特性:
    - 断态漏电流 IDSS:25°C 下 10 μA,125°C 下 250 μA
    - 阈值电压 VGS(TH):2.0 V 到 4.0 V
    - 导通电阻 RDS(on):10 V 栅压下,50 A 漏流下,0.57 mΩ 到 0.7 mΩ
    - 输入电容 CISS:8400 pF(VGS = 0 V,f = 1 MHz,VDS = 25 V)
    - 输出电容 COSS:4600 pF
    - 反向传输电容 CRSS:120 pF

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:小封装尺寸(5x6 mm),适用于紧凑型设计。
    - 低导通电阻:RDS(on)为0.7 mΩ(10 V栅压下),可显著减少传导损耗。
    - 低栅极电荷:QG为128 nC,可降低驱动损耗。
    - 湿气检测选项:NVMFS5C404NWF版本提供增强的光学检测功能。
    - 认证:符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力。
    - 环保:无铅,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 太阳能逆变器:NVMFS5C404N MOSFET可用于太阳能逆变器的功率转换环节,通过高效的开关操作来提高整体能效。
    - 电动汽车充电站:在电动汽车充电站中,该MOSFET可用于电源管理模块,确保稳定高效的充电过程。
    使用建议:
    - 散热管理:由于具有较高的连续漏电流和功耗能力,确保有效的热管理对于保持MOSFET的可靠运行至关重要。
    - 电路布局:在设计电路时,考虑到其低电容特性,应尽量减小寄生电感以避免高频噪声的影响。
    - 参数校准:建议在实际应用中进行阈值电压和导通电阻的校准,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFS5C404N MOSFET采用DFN5和DFNW5封装,可以与其他具有相同封装的电子元器件轻松互换。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术资源库和客户服务热线,帮助用户解决问题和提供定制化应用指导。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 过热:长时间大电流操作可能导致过热。解决方案是合理设计散热路径,确保良好的热管理。
    - 电气参数波动:某些电气参数如RDS(on)会随温度变化而波动。建议在设计时考虑温度补偿措施,以保证长期稳定运行。
    解决方案:
    - 确保电路中配备足够的散热装置,例如散热片或风扇。
    - 在关键位置添加温度传感器,并实时监测温度变化。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NVMFS5C404N MOSFET是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和紧凑设计的特点。该产品非常适合于需要高效率、低损耗的应用场景。
    推荐:
    强烈推荐在涉及高功率转换和电源管理的设计中使用NVMFS5C404N。结合其优异的电气特性和广泛的支持服务,该产品无疑将为您的项目带来卓越的性能表现。

NVMFS5C404NWFT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3.9W(Ta),200W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.4nF@25V
栅极电荷 128nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 53A,378A
Rds(On)-漏源导通电阻 700μΩ@ 50A,10V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVMFS5C404NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C404NWFT1G数据手册

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NVMFS5C404NWFT1G封装设计

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