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NTMFS005P03P8ZT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 900mW(Ta),104W(Tc) 25V 3V@ 250µA 112nC@ 4.5 V 1个P沟道 30V 2.7mΩ@ 22A,10V 164A 7.88nF@15V SO-8-FL 贴片安装
供应商型号: NTMFS005P03P8ZT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS005P03P8ZT1G

NTMFS005P03P8ZT1G概述

    NTMFS005P03P8Z MOSFET 技术手册深度解析

    产品简介


    NTMFS005P03P8Z 是一款由 ON Semiconductor 生产的高性能 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有单通道结构,采用 SO8 平装引脚封装形式。其设计旨在通过其超低导通电阻(RDS(on))提升系统效率,适用于多种高压和大电流场景。本产品的主要应用领域包括电源负载开关、反向电流保护、过压保护及电池管理等。

    技术参数


    以下是该 MOSFET 的关键技术参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极至源极电压 | VGS | ±25 ±25 | V |
    | 漏极至源极电压 | VDSS -30 | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | -164 -118 | A |
    | 骤发漏极电流 | IDM -597 | A |
    | 开启阈值电压 | VGS(TH) | -1.0 | -3.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 1.8 | 2.7 | 4.4 | mΩ |
    | 热阻 | RθJA | 40 137 | °C/W |
    其他详细参数可参考手册中的电气特性章节。

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻(RDS(on)):典型值仅为 2.7 mΩ,在 -10 V 的栅源电压下,能够显著降低功耗并提高整体系统效率。
    2. 先进封装技术:采用紧凑的 5x6 mm² 封装,提供卓越的热传导能力,同时减少电路板占用空间。
    3. 环保合规性:无铅、无卤化物及无溴化阻燃剂(BFR Free),符合 RoHS 标准。
    4. 优异的安全特性:具备漏电保护、反向电流保护和过压保护功能,广泛应用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    NTMFS005P03P8Z MOSFET 在多个领域有广泛应用,例如:
    - 负载开关:适用于需要高可靠性和高效能的场合,如工业自动化设备中的继电器控制。
    - 电池管理:集成反向电流保护,适合锂电池管理系统(BMS)。
    - 过压保护:可在车载电子设备中作为反向电压保护装置。
    使用建议:
    1. 建议在设计中确保良好的散热条件,特别是在高功率应用时。
    2. 使用较大的栅极电阻(>6 Ω)以避免高频干扰。
    3. 严格遵循最大额定值表中的限制条件,防止因过载导致器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS005P03P8Z 支持标准的 SO8 引脚布局,易于与其他同类产品互换。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和详尽的产品文档,可通过官网或客服热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    以下列举了部分用户可能遇到的问题及其解决方法:
    1. 问:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 答:通常推荐选择 6-10 Ω 的电阻以平衡速度与功耗。
    2. 问:产品是否支持高温工作环境?
    - 答:支持,该器件可在 -55 至 +150°C 的温度范围内稳定运行。
    3. 问:如何处理漏电流问题?
    - 答:可通过优化 PCB 布局减少寄生电容,并选用较低的导通电阻型号。

    总结和推荐


    NTMFS005P03P8Z 是一款技术领先、性能可靠的 P 沟道功率 MOSFET,其卓越的导通电阻、紧凑的封装设计及环保特性使其成为多种高压应用的理想选择。尽管存在一定的价格溢价,但其出色的效率表现和长期稳定性使其值得推荐。
    最终结论:强烈推荐此款产品用于需要高性能和可靠性的高压功率应用领域。

NTMFS005P03P8ZT1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 25V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.88nF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 164A
最大功率耗散 900mW(Ta),104W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7mΩ@ 22A,10V
栅极电荷 112nC@ 4.5 V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SO-8-FL
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS005P03P8ZT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS005P03P8ZT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS005P03P8ZT1G NTMFS005P03P8ZT1G数据手册

NTMFS005P03P8ZT1G封装设计

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