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NTJD4105CT2G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 550mW ±12 @ N Channel,±8 @ P Channel 1.5V@ 250µA 3nC@ 4.5V 2N+2P沟道 20V,8V 375mΩ@ 630mA,4.5V 630mA,775mA 46pF@20V SOT-363 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: NTJD4105CT2G
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G概述

    NTJD4105C/D MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTJD4105C/D 是一款小信号互补 MOSFET,采用 SC-88 封装(2x2mm),适用于多种电子设备中。该器件包括 N 沟道和 P 沟道晶体管,具有高性价比和紧凑封装,适合便携式电子产品中的直流-直流转换、负载/功率开关及单双电池供电设备。此外,它广泛应用于手机、MP3播放器、数码相机和 PDA 等消费电子产品。

    技术参数


    以下是 NTJD4105C/D 的关键技术参数:
    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 (VDSS):N沟道 - 20V,P沟道 - -8.0V
    - 门源击穿电压 (VGS):N沟道 ±12V,P沟道 ±8.0V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID):N沟道 TA=25°C - 0.63A,TA=85°C - 0.46A;P沟道 TA=25°C - -0.775A,TA=85°C - -0.558A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):±1.2A
    - 热参数:
    - 热阻 (RJA):稳态 - 400°C/W
    - 温度范围:
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 150°C
    - 其他参数:
    - 输入电容 (CISS):N沟道 - 33pF 至 46pF,P沟道 - 160pF 至 225pF
    - 输出电容 (COSS):N沟道 - 13pF 至 22pF,P沟道 - 38pF 至 55pF
    - 反向传输电容 (CRSS):N沟道 - 2.8pF 至 5.0pF,P沟道 - 28pF 至 40pF

    产品特点和优势


    - 互补性:NTJD4105C/D 集成了 N 沟道和 P 沟道两种类型的 MOSFET,使其能够轻松实现互补操作,简化设计和降低成本。
    - 低 RDS(on):采用先进的 -8.0V 槽技术,确保低导通电阻,从而提高效率和减少功耗。
    - ESD保护:具备 ESD保护功能,ESD等级为 Class 1,提高了产品的可靠性和稳定性。
    - 小型化封装:SC-88 封装仅 2x2mm,有助于缩小 PCB 占用面积,非常适合便携式设备。
    - 无铅包:提供无铅包版本,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC转换:NTJD4105C/D 在直流-直流转换应用中表现出色,其低导通电阻和快速切换特性使其在高效能转换器中发挥重要作用。
    - 负载/功率开关:可用于控制便携式设备中的负载开关,特别是在电池供电系统中,它能够有效地管理电源消耗。
    - 单/双电池供电设备:这种 MOSFET 广泛应用于智能手机、MP3播放器、数码相机等设备中,确保这些设备能够高效地管理和分配电源。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,应关注寄生电容对性能的影响,并考虑优化电路布局以减少寄生效应。
    - 在高温环境下使用时,建议进行温度补偿,以保持器件的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    NTJD4105C/D 可以与其他标准的 SOT-363 封装 MOSFET 兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档,帮助客户更好地理解和使用该器件。公司还提供长期的售后支持和维护服务,确保用户能够获得最佳的产品体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免因过热导致的损坏?
    - 解决方案:合理布局散热结构,确保工作时温度不超过最大允许值(TJ = 150°C)。如需长时间满载工作,应选用散热片或其他冷却措施。
    2. 问:为何会有寄生电容引起的开关损耗?
    - 解决方案:在设计电路时,尽量缩短 MOSFET 引脚的走线长度,减少寄生电容的影响。可以使用适当的旁路电容来吸收瞬态电流波动。

    总结和推荐


    NTJD4105C/D MOSFET 以其出色的互补性、低导通电阻、紧凑封装和高性能,成为众多电子设备的理想选择。尤其适用于便携式设备中的直流-直流转换、负载开关等应用。鉴于其卓越的特性和广泛应用前景,强烈推荐使用 NTJD4105C/D 作为高性能 MOSFET 方案。

NTJD4105CT2G参数

参数
FET类型 2N+2P沟道
最大功率耗散 550mW
通道数量 2
配置
Vgs-栅源极电压 ±12 @ N Channel,±8 @ P Channel
栅极电荷 3nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 375mΩ@ 630mA,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 20V,8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 46pF@20V
Id-连续漏极电流 630mA,775mA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTJD4105CT2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTJD4105CT2G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G数据手册

NTJD4105CT2G封装设计

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