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KSA1142OSTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi PNP晶体管, TO-126封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-100 mA, 最大集电极-发射电压-180 V
供应商型号: KSA1142OSTU
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSA1142OSTU

KSA1142OSTU概述


    产品简介


    KSA1142 PNP Epitaxial Silicon Transistor
    KSA1142是一款PNP型外延硅晶体管,主要适用于音频频率功率放大器和高频功率放大器。该器件可以作为KSC2682的互补组件,广泛应用于各种电路设计中。其封装形式为TO-126,引脚排列如下:1. 发射极(Emitter),2. 集电极(Collector),3. 基极(Base)。

    技术参数


    以下是KSA1142的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 180V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 180V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5V
    - 集电极电流 (IC): 100mA
    - 集电极耗散功率 (Ta=25°C): 1.2W
    - 集电极耗散功率 (TC=25°C): 8W
    - 结温 (TJ): 150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 150°C
    - 电气特性
    - 集电极截止电流 (ICBO): -180V下 <1µA
    - 发射极截止电流 (IEBO): -3V下 <1µA
    - 直流电流增益 (hFE1, hFE2):
    - VCE = -5V, IC = -1mA: 90-200
    - VCE = -5V, IC = -10mA: 100-320
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): IC = -50mA, IB = -5mA时 <0.5V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): IC = -50mA, IB = -5mA时 <1.5V
    - 电流增益带宽积 (fT): VCE = -10V, IC = -20mA时 180MHz
    - 输出电容 (Cob): VCB = -10V, IE = 0, f=1MHz时 4.5pF 至 7pF
    - 噪声系数 (NF): VCE = -10V, IC = -1mA时 <4dB

    产品特点和优势


    KSA1142的主要特点是其高增益、低噪声和广泛的电压范围,这些特性使其成为音频和高频功率放大器的理想选择。它具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在恶劣的工作环境中表现出色。此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)使其适用于各种工业和消费电子产品。

    应用案例和使用建议


    KSA1142适用于音频频率功率放大器和高频功率放大器的应用场景。例如,在音频放大器中,KSA1142能够提供稳定的电流增益和低噪声性能,确保音频信号的高质量传输。在高频功率放大器中,KSA1142的高电流增益带宽积使其能够处理高速切换的信号。
    使用建议:
    - 在设计放大器电路时,应考虑KSA1142的散热要求,避免过热导致性能下降。
    - 在选择外部元件时,应根据KSA1142的特性进行匹配,以确保最佳性能。
    - 定期检测和维护,确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    KSA1142与同类PNP晶体管在引脚排列和电气特性方面兼容,易于替代其他品牌的产品。ON Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、技术咨询和故障排除指南。用户可以通过官方技术支持热线或网站获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的集电极电流会导致晶体管损坏
    - 解决方法:确保集电极电流不超过额定值,并使用适当的散热措施。
    2. 问题:工作温度超出允许范围
    - 解决方法:选择合适的散热装置或改进电路设计,确保工作温度保持在规定范围内。
    3. 问题:噪声过大影响信号质量
    - 解决方法:选择低噪声版本的KSA1142或优化电路布局,减少外部干扰。

    总结和推荐


    KSA1142是一款高性能的PNP晶体管,具备高增益、低噪声和宽温度范围等特点。它在音频和高频功率放大器中的应用表现优异,是市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐用于需要高可靠性和稳定性的应用场景。对于需要替代现有产品的工程师,KSA1142是一个理想的选择。

KSA1142OSTU参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 5mA,50mA
最大功率耗散 8W
VCBO-最大集电极基极电压 180V
集电极截止电流 1μA
集电极电流 100mA
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 180V
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 5mA,50mA
长*宽*高 8mm*3.25mm*11mm
通用封装 TO-126-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

KSA1142OSTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSA1142OSTU数据手册

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KSA1142OSTU封装设计

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