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HUFA75309P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 55W(Tc) 20V 4V@ 250µA 24nC@ 20V 1个N沟道 55V 70mΩ@ 19A,10V 19A 350pF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-HUFA75309P3
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUFA75309P3

HUFA75309P3概述

    HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S: 全面解析

    1. 产品简介


    HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S 是由Fairchild Semiconductor开发的一系列高性能N沟道超功率MOSFET(UltraFET)器件。这些器件采用创新的UltraFET®工艺制造,以实现最低的导通电阻(RDS(ON))。它们适用于各种高效率应用,例如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关及便携式和电池供电产品的电源管理。

    2. 技术参数


    以下是该系列器件的主要技术规格和电气特性:
    - 额定电压:55V(VDS)
    - 额定电流:连续19A(ID),脉冲19A(IDM)
    - 导通电阻:典型值为0.060Ω,最大值为0.070Ω(RDS(ON))
    - 雪崩耐量:典型值为246A@25°C,24A@150°C(EAS)
    - 栅极阈值电压:2-4V(VGS(TH))
    - 热阻:J到C之间2.7°C/W,J到A之间62°C/W(TO-220),100°C/W(TO-251/252)
    - 开关时间:典型关断延迟时间为24ns,上升时间为39ns,关断时间为80ns
    - 栅极电荷:典型值为24nC(Qg(TOT)),13.5nC(Qg(10))
    - 存储电容:输入电容350pF(CISS),输出电容150pF(COSS)

    3. 产品特点和优势


    HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S 的关键优势包括:
    - 超低导通电阻:典型的0.060Ω RDS(ON),显著提高了能效。
    - 高峰值电流能力:可承受高达246A的峰值电流,适合高电流应用。
    - 先进的仿真模型:提供温度补偿的PSPICE和SABER模型,便于模拟设计。
    - 可靠的封装:针对极端条件和环境设计,符合汽车工业标准。
    - 广泛的测试认证:通过ISO9000和QS9000质量体系认证。

    4. 应用案例和使用建议


    HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S 广泛应用于需要高效率的场合,如开关电源、电机控制、继电器驱动和便携式设备。具体应用实例包括:
    - 开关电源:利用其低导通电阻特性,显著提高电源转换效率。
    - 电机驱动器:高电流能力和快速开关特性使其适用于驱动电机。
    - 便携式设备:小型化封装和低功耗设计使其适合电池供电设备。
    使用建议:
    - 在选择适当的散热方案时,应注意J到C和J到A的热阻,以避免过热。
    - 使用合适的栅极驱动器,确保在开关过程中降低开关损耗。
    - 在电路设计时,考虑器件的反向恢复时间和存储电容,以优化系统性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该系列产品与多种表面贴装工艺兼容,适合现代电子产品的小型化趋势。
    - 支持与维护:Fairchild Semiconductor提供了详细的技术文档和在线资源,帮助用户进行产品选型和设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何选择适当的散热措施?
    - A:根据计算出的功耗和热阻确定合适的散热片或风扇,以确保器件不会过热。

    - Q:栅极电荷过高怎么办?
    - A:增加栅极电阻,减小栅极驱动电流,从而减少开关损耗。

    - Q:如何防止过压损坏?
    - A:使用合适的钳位二极管和TVS二极管保护器件免受瞬态过压的影响。

    7. 总结和推荐


    HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S 在高效率和可靠性方面表现出色,特别适用于要求高性能的场合。其出色的电气特性和广泛的应用场景使其成为工程师在设计高效率电路时的首选之一。强烈推荐在需要高效能MOSFET的应用中使用此系列产品。

HUFA75309P3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 19A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
最大功率耗散 55W(Tc)
栅极电荷 24nC@ 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 19A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

HUFA75309P3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUFA75309P3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUFA75309P3 HUFA75309P3数据手册

HUFA75309P3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1953 ¥ 1.6814
1000+ $ 0.1899 ¥ 1.6043
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