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HUF75645P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UltraFET系列, Vds=80 V, 75 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: AV-S-HUF75645P3
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF75645P3

HUF75645P3概述

    HUF75645P3 和 HUF75645S3S N-Channel UltraFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF75645P3 和 HUF75645S3S 是由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的N-Channel UltraFET Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件具有极低的导通电阻(rDS(ON))和高脉冲电流能力,适用于多种电源管理应用。主要功能包括低功耗操作和快速开关速度。应用领域广泛,包括但不限于直流-直流转换器、电机驱动、服务器电源和可再生能源系统。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 备注 |
    |
    | 导通电阻 rDS(ON) | 0.014Ω | VGS = 10V |
    | 最大漏源电压 VDSS | 100 V
    | 最大栅源电压 VGS | ±20 V
    | 连续漏极电流 ID(25°C) | 75 A
    | 连续漏极电流 ID(100°C) | 65 A
    | 脉冲漏极电流 IDM | 75 A | 图4 |
    | 最大脉冲雪崩能量 UIS | 参见图6, 14, 15
    | 功率耗散 PD | 310 W | 25°C以上降额 |
    | 热阻抗 RθJC | 0.48°C/W
    | 热阻抗 RθJA | 62°C/W
    | 操作温度范围 TJ, TSTG | -55至175°C

    3. 产品特点和优势


    - 极低导通电阻:HUF75645P3 和 HUF75645S3S 的导通电阻仅为0.014Ω,可以显著降低功耗,提高效率。
    - 快速开关特性:这些器件的开关时间短,可以在高频应用中提供卓越的性能。
    - 模拟模型:提供温度补偿的SPICE和SABER模型,方便电路仿真和设计验证。
    - 脉冲雪崩能力:具备强大的脉冲雪崩能力,适用于需要高可靠性运行的应用场合。
    - 高可靠性:能够在极端工作条件下稳定工作,符合严格的工业标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直流-直流转换器:利用低导通电阻和快速开关特性,实现高效能的直流-直流转换。
    - 电机驱动:在电机控制应用中,能够提供稳定的电流控制,确保电机的可靠运行。
    - 电源管理:用于服务器和通信设备的电源管理模块,以提高整体系统的能效。

    使用建议:
    - 在高功率应用中,需要注意热管理,以防止器件过热。可以使用散热片或强制风冷等方式增强散热效果。
    - 在高频应用中,需考虑寄生电容的影响,避免不必要的损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HUF75645P3 和 HUF75645S3S 可以与其他主流的电源管理IC和电路板设计兼容,提供灵活的设计选择。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决设计和应用中的各种问题。具体联系方式包括电话支持和技术文献下载。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下器件温度过高。
    解决方法:增加散热措施,如添加散热片或采用强制风冷,以降低器件的工作温度。

    - 问题2:启动时电流过大导致损坏。
    解决方法:合理设置启动电路,减小初始电流冲击,确保器件安全启动。
    - 问题3:在脉冲应用中性能不稳定。
    解决方法:仔细选择和计算电路参数,确保脉冲宽度和电流在器件的承受范围内。

    7. 总结和推荐


    HUF75645P3 和 HUF75645S3S 是高性能的N-Channel UltraFET Power MOSFET,具有低导通电阻、快速开关特性和强大的脉冲雪崩能力。它们适用于多种电源管理和电机控制应用。鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐在高要求的应用中选用该系列产品。

HUF75645P3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 75A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.79nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 238nC@ 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 310W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
配置 独立式
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

HUF75645P3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF75645P3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUF75645P3 HUF75645P3数据手册

HUF75645P3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 2.2425 ¥ 19.8461
200+ $ 2.0292 ¥ 17.9584
350+ $ 1.539 ¥ 13.6202
600+ $ 1.4541 ¥ 12.8688
1300+ $ 1.3875 ¥ 12.2794
2400+ $ 1.2654 ¥ 11.1988
4350+ $ 1.221 ¥ 10.8059
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