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NTMFS4C10NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 46 A, SO-8FL封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: NTMFS4C10NT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C10NT1G

NTMFS4C10NT1G概述

    NTMFS4C10N MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTMFS4C10N 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 SO-8 平装封装形式。此 MOSFET 主要应用于 CPU 电源输送和直流到直流转换器等领域。其特点是低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,这些特性有助于减少传导损耗、驱动损耗和开关损耗。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDSS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 电流参数:
    - 最大持续漏电流(TJ = 25°C):15.0 A
    - 最大脉冲漏电流(tp = 10 µs):340 A
    - 功耗参数:
    - 功耗(TA = 25°C):2.49 W
    - 功耗(t ≤ 10 s):5.6 W
    - 热阻参数:
    - 结到壳热阻 (RθJC):5.3 °C/W
    - 结到空气热阻(稳态,表面贴装于 FR4 板上,1 oz Cu):50.3 °C/W
    - 结到空气热阻(瞬态,表面贴装于 FR4 板上,1 oz Cu):22.2 °C/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):5.8 mΩ 至 10.8 mΩ
    - 阈值电压(VGS(TH)):1.3 V 至 2.2 V
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):9.7 nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:有效的减少了传导损耗,适用于高效率的应用场景。
    - 低电容:减小了驱动损耗,特别适合高频应用。
    - 优化的栅极电荷:进一步降低开关损耗,提升整体效率。
    - 无铅、无卤素、无溴化阻燃剂且符合 RoHS 规范:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    - CPU 电源输送:在 CPU 供电系统中,该 MOSFET 可以提高电源转换效率。
    - DC-DC 转换器:用于高效能的直流到直流转换过程中,确保能量损失最小化。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热问题,避免因过热而导致的性能下降或损坏。
    - 在高频应用中,注意布局和走线的设计,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS4C10N MOSFET 具有标准 SO-8 平装封装,便于与其他电子元件集成。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作温度超过规定范围。
    - 解决办法:检查散热设计,确保在规定的温度范围内工作。
    - 问题2:栅极电荷过高导致开关损耗增加。
    - 解决办法:调整外部电路中的栅极电阻,优化栅极电荷。

    总结和推荐


    NTMFS4C10N MOSFET 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷等优势,非常适合用于 CPU 电源输送和直流到直流转换器等应用。考虑到其优异的电气特性和良好的兼容性,推荐在需要高效率和低损耗的应用场合使用此产品。同时,ON Semiconductor 提供全面的技术支持,使用户能够轻松地将该产品集成到各种电子系统中。

NTMFS4C10NT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 8.2A
栅极电荷 9.7nC@ 4.5 V
配置 独立式quaddraintriplesource
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 987pF@15V
最大功率耗散 750mW(Ta),23.6W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 6.95mΩ@ 30A,10V
长*宽*高 6.1mm(长度)*1.05mm(高度)
通用封装 TO-220,TO-252-2
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C10NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C10NT1G数据手册

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NTMFS4C10NT1G封装设计

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