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2N5038G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi NPN晶体管, TO-204AA封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流20 A, 最大集电极-发射电压90 V
供应商型号: 10B-2535594-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2N5038G

2N5038G概述

    # NPN Silicon Transistor 2N5038: Comprehensive Guide

    1. 产品简介


    基本介绍
    2N5038 是一种高功率NPN硅晶体管,适用于各种工业和商业应用。它的设计旨在提供高速开关能力和大电流承载能力,使其成为切换调节器、逆变器、宽带放大器和功率振荡器的理想选择。
    主要功能
    - 高速开关:最大开关时间tf为0.5微秒
    - 大电流承载:连续集电极电流IC可达30安培
    - 低饱和电压:最大饱和电压VCE(sat)为2.5伏特(当集电极电流IC为20安培时)
    应用领域
    2N5038广泛应用于电力系统、通信设备、工业自动化等领域。它特别适合用于需要快速响应和高效能处理的应用场合。

    2. 技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压 VCEO:90伏特(直流)
    - 基极-集电极电压 VCBO:150伏特(直流)
    - 集电极-发射极击穿电压 VCEV:150伏特(直流)
    - 发射极-基极电压 VEBO:7伏特(直流)
    电气特性
    - 连续集电极电流 IC:20安培(连续),30安培(峰值)
    - 基极电流 IB:5安培(连续)
    - 整体功耗 PD:140瓦特(@TC=25℃);超过25℃时,每增加1℃,功耗减少0.8瓦特/℃
    - 工作和存储结温范围 TJ, Tstg:-65℃至+200℃
    热特性
    - 热阻抗 RJC:1.25℃/瓦特(结到壳)

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 高速开关:最大开关时间仅为0.5微秒,适合高频应用
    - 大电流承载:连续电流可达30安培,满足大部分高电流需求
    - 低饱和电压:最大饱和电压仅为2.5伏特,提高效率
    优势
    - 高可靠性:能够承受高电压和高电流,适合恶劣环境
    - 适应性强:能够在-65℃至+200℃的宽温度范围内稳定工作
    - 高效节能:低饱和电压和高速开关特性使得整体功耗显著降低

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    2N5038广泛应用于电源管理、逆变器和功率放大器等场景。例如,在电源管理系统中,它可以有效地将直流电源转换为所需的交流电输出。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保集电极-发射极电压不超过最大额定值(90伏特)。
    - 为了保持良好的热稳定性,建议在高负载条件下使用散热片或散热器。
    - 定期检查设备的工作温度,以避免过热现象的发生。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    2N5038 可以与其他标准NPN晶体管和电源管理器件兼容,适用于大多数现有的电子电路设计。
    支持和维护
    - ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括在线资源和电话支持。
    - 如需更多详细信息和技术文档,可以访问公司网站 www.onsemi.com。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:设备过热
    解决方案:检查电路设计是否合理,确保安装了足够的散热措施。如有必要,考虑更换更高效的散热器或采用更大的散热面积。
    问题2:电流不稳定
    解决方案:确认基极电流设置正确,并检查外部电路是否有短路或开路的情况。必要时可调整电源输入或更换更稳定的电源供应器。
    问题3:饱和电压过高
    解决方案:重新检查电路连接和配置,特别是驱动电路部分。适当调整基极电流或更换更适配的驱动电路。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    2N5038是一款高性能的NPN硅晶体管,具有快速开关速度和高电流承载能力,适用于多种高要求的工业和商业应用。它的高效能和广泛的温度适用范围使它在市场上具有很高的竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐2N5038在需要快速响应和高电流处理能力的电子设备中使用。无论是工业控制、电源管理和通讯设备,2N5038都能发挥出色的表现,值得广大工程师和技术人员关注和选用。

2N5038G参数

参数
配置 独立式
集电极电流 20A
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 2.5V@ 5A,20A
最大集电极发射极饱和电压 2.5V@ 5A,20A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCBO-最大集电极基极电压 150V
VCEO-集电极-发射极最大电压 90V
最大功率耗散 140W
长*宽*高 39.37mm(长度)
通用封装 TO-204,TO-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

2N5038G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N5038G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 2N5038G 2N5038G数据手册

2N5038G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 102.5249
10+ ¥ 63.4464
19+ ¥ 63.4464
50+ ¥ 63.2763
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250+ ¥ 54.8946
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