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NXH40T120L3Q1SG

产品分类: IGBT模块
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi igbt模块, 最大 1200 V
供应商型号: 1958775
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 NXH40T120L3Q1SG

NXH40T120L3Q1SG概述

    Q1 3-Phase TNPC Module (NXH40T120L3Q1)

    1. 产品简介


    NXH40T120L3Q1 是一款采用三通道 T-型中性点钳位(TNPC)电路的功率模块。每个通道包含两个1200V、40A 的 IGBT 及反向二极管,以及两个650V、25A 的 IGBT 及反向二极管。此外,模块内还配备了一个NTC热敏电阻,用以监测温度。此模块主要用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和能量存储系统等领域。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术规格、性能参数及电气特性:
    - IGBT(Q1, Q4, Q5, Q8, Q9, Q12)
    - 最大电压:VCES = 1200 V
    - 最大连续集电极电流:IC = 40 A
    - 最大脉冲集电极电流:ICpulse = 120 A
    - 最大功率耗散:Ptot = 145 W
    - 工作温度范围:-40°C 到 175°C
    - 二极管(D1, D4, D5, D8, D9, D12)
    - 最大峰值重复反向电压:VRRM = 1200 V
    - 最大连续正向电流:IF = 25 A
    - 最大脉冲重复正向电流:IFRM = 75 A
    - 最大功率耗散:Ptot = 55 W
    - 工作温度范围:-40°C 到 175°C
    - IGBT+二极管(Q2+D2, Q3+D3, Q6+D6, Q7+D7, Q10+D10, Q11+D11)
    - 最大电压:VCES = 650 V
    - 最大连续集电极电流:IC = 42 A
    - 最大脉冲集电极电流:ICpulse = 126 A
    - 最大功率耗散:Ptot = 146 W
    - 工作温度范围:-40°C 到 175°C
    - 热特性
    - 储存温度范围:Tstg = -40°C 到 150°C
    - 绝缘测试电压:Vis = 3000 VRMS
    - 爬电距离:12.7 mm

    3. 产品特点和优势


    - 低封装高度:紧凑的82.5 mm x 37.4 mm x 12 mm 封装,适合空间受限的应用。
    - 多种选项:提供带压力插针和焊接插针的选择,以及带或不带预涂导热材料(TIM)的选择。
    - 环境友好:无铅且符合RoHS标准,适用于环保要求高的场合。
    - 集成NTC热敏电阻:可以方便地监测模块内部温度,确保安全运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 太阳能逆变器:用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,适用于户用和商用光伏系统。
    - 不间断电源(UPS):为关键负载提供后备电力支持,保证在市电中断时系统的连续运行。
    - 能量存储系统:作为能量转换的关键部件,实现能量的高效利用和管理。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到最大功率耗散为145W,建议在设计中充分考虑散热措施,如使用大散热片或液冷系统,以确保模块能在高温环境下稳定运行。
    - 参数匹配:根据实际需求选择不同型号的产品(如带压力插针或焊接插针),确保与现有系统的良好匹配。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该模块的引脚布局符合行业标准,易于与其他电子元器件或设备集成。对于具体的设计问题,用户可参考手册中的引脚配置图。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,涵盖产品特性、应用指南和常见问题解答,确保用户能够充分利用模块的性能优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:模块过热
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热片或采用液冷系统。

    - 问题2:启动不稳定
    - 解决方案:检查输入电压和信号是否满足规范要求,确保驱动信号足够强大。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NXH40T120L3Q1 功率模块以其高可靠性、紧凑设计及多种配置选项,在太阳能逆变器、不间断电源和能量存储系统等领域具有广泛的应用前景。鉴于其优异的电气特性和丰富的应用案例,我们强烈推荐这一产品用于需要高性能功率转换的应用中。然而,在实际应用过程中,务必注意散热设计和参数匹配,以确保其长期稳定运行。

NXH40T120L3Q1SG参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.2V@ 15V,40A
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
集电极电流 40A
最大功率耗散 145W
长*宽*高 83mm*37.9mm*12.5mm
安装方式 底座安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

NXH40T120L3Q1SG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH40T120L3Q1SG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 ON SEMICONDUCTOR NXH40T120L3Q1SG NXH40T120L3Q1SG数据手册

NXH40T120L3Q1SG封装设计

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