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NTP8G202NG

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 65W(Tc) 18V 2.6V@ 500µA 9.3nC@ 4.5 V 600V 350mΩ@ 5.5A,8V 60μA 9A 760pF@400V 1个N沟道 TO-220 通孔安装
供应商型号: CY-NTP8G202NG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 氮化镓场效应管 NTP8G202NG

NTP8G202NG概述

    Power GaN Cascode Transistor NTP8G202N

    1. 产品简介


    NTP8G202N 是一款高性能的氮化镓(GaN)层叠式晶体管,设计用于电力转换应用。它具有快速开关特性、极低的反向恢复电荷和高可靠性,是电力转换领域的重要组成部分。这款产品特别适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统、数据中心电源供应器和其他需要高效能电力转换的应用场景。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 600 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±18 V
    - 持续漏电流 \( ID \): 9.0 A (25°C), 6.0 A (100°C)
    - 最大耗散功率 \( PD \): 65 W (25°C)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 35 A (10 μs)
    - 热阻
    - 结到外壳热阻 \( R{\theta JC} \): 2.3 °C/W
    - 结到环境稳态热阻 \( R{\theta JA} \): 62 °C/W
    - 电气特性
    - 击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 600 V
    - 开启电阻 \( R{DS(on)} \): 290 mΩ @ 10 V
    - 输入电容 \( C{iss} \): 760 pF (400 V, 0 V, 1 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 26 pF
    - 逆向传输电容 \( C{rss} \): 3.5 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 6.2 - 9.3 nC
    - 开关时间 \( td(on) \): 6.2 ns (480 V, 5.5 A, 10 V, 2 Ω)

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:NTP8G202N 具备极快的开关速度,能够在纳秒级别内完成切换,显著降低开关损耗。
    - 极低反向恢复电荷:通过减少反向恢复电荷,降低了能量损失,提高了效率。
    - 无铅、无卤素材料:符合RoHS标准,对环境友好。
    - Transphorm Inside:集成先进的技术,确保产品的高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器:NTP8G202N 可以在高效率要求下提供稳定的性能,减少能源浪费。
    - 电动汽车充电系统:快速的开关速度可以显著提高充电效率,减少充电时间。
    - 数据中心电源供应器:降低功耗,提升系统的整体能效。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,要注意散热措施,避免过热导致性能下降。
    - 选择合适的栅极驱动电阻,以确保快速可靠的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    NTP8G202N 支持与多种电源管理系统和电路板的设计兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行产品集成和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查电源输入电压是否符合规定范围,确认接线是否正确。
    - 问题2:设备温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热片或改进冷却系统,确保良好的热管理。

    7. 总结和推荐


    NTP8G202N 在电力转换应用中表现出色,具备高效的开关特性和极低的反向恢复电荷,使其成为电力转换领域的首选产品。推荐给追求高效能、可靠性的设计师和制造商使用。

NTP8G202NG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 5.5A,8V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 9A
配置 -
最大功率耗散 65W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 60μA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.6V@ 500µA
Vgs-栅源极电压 18V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 760pF@400V
最大功率 -
栅极电荷 9.3nC@ 4.5 V
10.53mm(Max)
4.82mm(Max)
9.28mm(Max)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTP8G202NG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTP8G202NG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 氮化镓场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTP8G202NG NTP8G202NG数据手册

NTP8G202NG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 14.0051 ¥ 113.4528
25+ $ 13.4264 ¥ 111.4968
50+ $ 12.8476 ¥ 109.5407
100+ $ 12.6162 ¥ 108.5626
300+ $ 12.5004 ¥ 107.5846
500+ $ 12.3847 ¥ 106.6065
1000+ $ 12.0374 ¥ 101.7163
5000+ $ 12.0374 ¥ 101.7163
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