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FQPF9N90CT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=900 V, 8 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FQPF9N90CT
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF9N90CT

FQPF9N90CT概述


    产品简介


    基本信息
    型号: FQPF9N90C/FQPF9N90CT
    类型: N-Channel 增强型功率 MOSFET
    品牌: onsemi
    制造工艺: onsemi 独家平面条纹和 DMOS 技术
    主要功能
    这款 N-Channel 增强型功率 MOSFET 是为降低导通电阻、提供出色的开关性能和高雪崩能量强度而特别设计的。它适用于开关模式电源、主动功率因数校正(PFC)以及电子灯管镇流器。
    应用领域
    - 开关模式电源
    - 功率因数校正
    - 电子灯管镇流器

    技术参数


    | 参数 | 标准值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 (VDSS) | 900 | - | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 8.0 | 2.8 | A |
    | 脉冲漏电流 (IDM) | 32 | - | A |
    | 门限电压 (VGSS) | ±30 | - | V |
    | 雪崩脉冲能量 (EAS) | 900 | - | mJ |
    | 雪崩电流 (IAR) | 8.0 | - | A |
    | 重复雪崩能量 (EAR) | 20.5 | - | mJ |
    | 峰值二极管恢复 (dv/dt) | 4.0 | - | V/ns |
    | 功耗 (PD) | 205 | - | W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V, ID = 4 A 时最大值仅为 1.4 Ω。
    - 低栅极电荷 (Qg): 典型值为 45 nC,有利于减少功耗。
    - 低 Crss: 典型值为 14 pF,有助于提高开关速度。
    - 100% 雪崩测试: 保证了可靠性。
    - 无铅、卤素及 RoHS 兼容: 环保材料符合标准要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关模式电源: 由于具有低导通电阻和高能效,特别适合用于需要高效能转换的应用场景。
    - 电子灯管镇流器: 在高功率需求的应用中表现优异,适合照明系统。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于最大功耗较高,应注意良好的散热措施以避免过热。
    - 电路布局: 尽量减少线路寄生电感,特别是对于高频率开关应用。

    兼容性和支持


    兼容性: 这款 MOSFET 与标准的 TO-220 封装兼容,便于集成到现有电路中。
    支持和维护:
    - 在线资源: 可通过 onsemi 官网获得技术支持和文档资料。
    - 销售支持: 如需更多帮助,可通过官网联系销售代表。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备无法正常启动 | 检查 VGS 是否在安全范围内;确保所有连接正确。|
    | 散热问题 | 改善散热条件,考虑使用散热片或强制风冷。 |
    | 功耗过高 | 检查电路布局,减少寄生电感和电阻;适当调整工作条件。|

    总结和推荐


    总结: FQPF9N90C/FQPF9N90CT 在多个方面表现出色,尤其是低导通电阻和低栅极电荷使其在开关模式电源和其他高效率应用中成为理想选择。其环保材料和良好的支持服务也增加了其市场竞争力。
    推荐: 基于其卓越的技术参数和广泛应用,强烈推荐在需要高效率和高可靠性的电力电子产品中使用此款 MOSFET。

FQPF9N90CT参数

参数
栅极电荷 58nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 900V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.73nF@25V
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 4A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 68W(Tc)
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FQPF9N90CT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF9N90CT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF9N90CT FQPF9N90CT数据手册

FQPF9N90CT封装设计

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