处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS5C460NLT1G

NVMFS5C460NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),50W(Tc) 20V 2V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 40V 4.5mΩ@ 35A,10V 1.3nF@25V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFS5C460NLT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C460NLT1G

NVMFS5C460NLT1G概述

    NVMFS5C460NL MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    NVMFS5C460NL 是一种 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和高电流控制应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和紧凑的设计,适用于多种电子设备中需要高效能和小尺寸的应用场景。这类器件广泛应用于计算机、服务器、通讯设备、电机驱动器以及汽车电子系统等领域。

    技术参数


    以下是该器件的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDSS):40V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C:78A
    - TC = 100°C:55A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C:50W
    - TC = 100°C:25W
    - 热阻 (RJC 和 RJA):
    - RJC(结到外壳):3.0°C/W
    - RJA(结到环境):42°C/W
    - 单脉冲峰值漏极电流 (IDM):396A(tp = 10μs)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C
    - 反向恢复时间 (tRR):29ns

    产品特点和优势


    1. 小尺寸:5x6 mm 封装,适合紧凑设计。
    2. 低 RDS(on):7.2 mΩ @ 4.5V 和 4.5 mΩ @ 10V,有效减少导通损耗。
    3. 低 QG 和低电容:减少驱动损耗。
    4. 湿湿可焊性引脚 (WF):提供光学检测增强选项。
    5. AEC-Q101 资格认证:适用于汽车电子系统。
    6. 无铅且符合RoHS标准:环保设计。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C460NL 可用于各种高电流控制和电源管理电路中,例如:
    - 电源转换器:通过降低导通损耗提高效率。
    - 电机驱动器:利用其低 RDS(on) 特性进行高效电流控制。
    - 通讯设备:处理高电流需求,同时保持紧凑设计。
    建议在使用时注意散热设计,以确保其在高负载条件下的可靠运行。对于关键应用,推荐进行详细的热仿真和测试。

    兼容性和支持


    NVMFS5C460NL 与多种电子设备兼容,特别是那些需要高电流控制的应用。此外,ON Semiconductor 提供详尽的技术支持,包括详细的使用指南、数据表和热仿真工具,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 热稳定性问题:确保散热设计符合要求,可以增加外部散热器或采用优化的PCB布局。
    2. 漏电流问题:检查接线和焊接质量,确保没有短路情况。
    3. 开关损耗高:调整栅极电阻(RG),优化开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5C460NL MOSFET 是一款高性能的电子元件,适用于高电流应用场合。其紧凑设计、低导通电阻和AEC-Q101认证使其成为电源管理系统的理想选择。我们强烈推荐这款产品给需要高效、可靠且小型化的电源管理系统的设计者。
    如果您有任何进一步的技术问题,ON Semiconductor 的技术团队将提供全面的支持。

NVMFS5C460NLT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 23nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 35A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3.6W(Ta),50W(Tc)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVMFS5C460NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C460NLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C460NLT1G NVMFS5C460NLT1G数据手册

NVMFS5C460NLT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.6831 ¥ 5.7859
库存: 27000
起订量: 873 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336