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NSVBC124XPDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: FL-NSVBC124XPDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVBC124XPDXV6T1G

NSVBC124XPDXV6T1G概述

    互补偏置电阻晶体管产品技术手册

    1. 产品简介


    互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)是一种专为简化电路设计而设计的新型电子元器件。该系列产品包括单个NPN和PNP晶体管及其集成的偏置电阻网络。每个BRT器件内部集成有两个电阻:一个基极串联电阻和一个基极-发射极电阻。与传统方法相比,这种设计减少了系统的成本并节省了电路板空间。此系列数字晶体管主要用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络,适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:50 Vdc
    - 集电极电流(连续):100 mAdc
    - 输入正向电压:40 Vdc
    - 输入反向电压:7 Vdc
    - 热特性:
    - SOT-363封装,单个结加热时的最大耗散功率:187 mW
    - SOT-563封装,单个结加热时的最大耗散功率:357 mW
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 电气特性(在TA=25°C时,除非另有说明):
    - 离态电流:
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 50 V,IE = 0):≤ 100 nA
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 50 V,IB = 0):≤ 500 nA
    - 开态特性:
    - 直流电流增益(IC = 5.0 mA,VCE = 10 V):80 至 150
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 10 mA,IB = 1.0 mA):≤ 0.25 V
    - 输入电阻(R1):22 kΩ
    - 电阻比(R1/R2):0.47

    3. 产品特点和优势


    - 简化电路设计:将两个电阻集成到一个晶体管中,显著减少了外部组件的数量。
    - 减少板空间:紧凑的设计降低了电路板空间需求。
    - 减少组件计数:通过集成电阻和晶体管,减少了外部元件的需求,提高了系统可靠性。
    - 符合行业标准:这些设备不含铅,无卤素/无BFR,并且符合RoHS标准。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车及其他需严格质量要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子系统:用于传感器接口、电机驱动等应用。
    - 工业控制系统:适合信号放大、开关控制等领域。
    - 消费电子设备:可应用于家用电器的控制模块。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热管理,以确保器件性能稳定。
    - 由于高集成度的设计,建议在PCB布局阶段考虑信号完整性问题,以避免电磁干扰(EMI)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准的SOT-363和SOT-563封装兼容,可以轻松替换现有的分立元件。
    - 支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档、应用指南及客户支持服务。用户可以通过官方网站获取更多资源,如设计工具、用户手册和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重。
    - 解决方案:检查PCB布局,确保良好的热管理和散热路径;适当降低功耗。
    - 问题2:输入输出电压不稳定。
    - 解决方案:检查电源稳定性,确保电源电压和电流满足器件要求;使用适当的去耦电容。

    7. 总结和推荐


    总结:
    互补偏置电阻晶体管以其高集成度、简化设计和可靠性能,成为许多应用场景的理想选择。通过减少外部元件数量,该产品不仅提升了系统的整体性能,还降低了成本和生产难度。
    推荐:
    对于追求高效能、低成本解决方案的设计工程师而言,此款互补偏置电阻晶体管是一个值得考虑的选择。特别是在对空间和成本敏感的应用中,如汽车电子、工业自动化和消费电子产品领域。

NSVBC124XPDXV6T1G参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置 -
最大功率耗散 -
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVBC124XPDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVBC124XPDXV6T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVBC124XPDXV6T1G NSVBC124XPDXV6T1G数据手册

NSVBC124XPDXV6T1G封装设计

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