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NVMFS5C460NLWFAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),50W(Tc) 20V 2V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 40V 4.5mΩ@ 35A,10V 21A,78A 1.3nF@25V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: UA-NVMFS5C460NLWFAFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C460NLWFAFT1G

NVMFS5C460NLWFAFT1G概述

    电子元器件产品技术手册解析:NVMFS5C460NL MOSFET

    产品简介


    NVMFS5C460NL是一款高性能的单片N通道MOSFET,适用于多种功率管理应用场景。其设计以紧凑的外形尺寸(5x6 mm)和卓越的电气性能著称,能够显著减少导通损耗并提升效率。此产品广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和消费电子等领域,满足高可靠性需求的同时,还符合严格的环保标准(RoHS合规及无铅设计)。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS | 40 | - | 40 | V |
    | 栅源电压范围 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 78 | - | A |
    | 高温漏极电流(TC=100°C)| ID | - | 55 | - | A |
    | 阈值电压 | VGS(TH) | 1.2 | 2.0 | - | V |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) | 5.8 | 7.2 | - | mΩ |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 3.7 | 4.5 | - | mΩ |
    | 栅电荷总量(VGS=10V) | QG(TOT) | 11 | 23 | - | nC |
    | 开关延迟时间(VGS=4.5V)| td(ON) | 9.2 | - | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 小型化设计:采用紧凑的DFN5封装,5x6 mm尺寸显著节省PCB空间。
    2. 低导通电阻(RDS(on)):最小值仅为3.7 mΩ,极大降低功耗,适合高频开关应用。
    3. 高效率驱动:低栅电荷(QG)和电容特性减少了驱动损耗。
    4. 湿法侧面焊接选项:提供NVMFS5C460NLWF型号,便于光学检测和增强视觉质量。
    5. 车规级认证:通过AEC-Q101认证,确保高可靠性,适合汽车应用。
    6. 绿色环保:无铅且RoHS合规,符合国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 作为汽车模块中的电源开关,用于引擎管理系统。
    - 在工业控制设备中充当高效能驱动元件。
    - 为消费电子设备提供可靠的功率管理解决方案。
    使用建议:
    1. 确保使用FR4板配合至少650 mm²、2oz铜散热垫以优化热阻性能。
    2. 当工作温度超过100°C时,需注意散热设计以避免过热风险。
    3. 配合适当的栅极电阻,优化开关速度,防止过高的寄生振荡。

    兼容性和支持


    NVMFS5C460NL可轻松与其他同类DFN5封装器件兼容,便于系统升级或替代。ON Semiconductor提供了全面的技术支持,包括在线资源、现场技术支持及定制化的解决方案。此外,公司官网提供丰富的文档资料,涵盖产品规格书、测试报告和应用指南等内容。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常增大 | 检查输入电压是否符合VGS标准范围(4.5V-10V)。 |
    | 温度过高 | 增加外部散热片或改善PCB布局以加强散热。 |
    | 开关延迟时间延长 | 减少栅极电阻值,提高驱动电流能力。 |

    总结和推荐


    综上所述,NVMFS5C460NL是一款高性能的N通道MOSFET,以其小巧的外形、卓越的电气性能和可靠的设计,在汽车电子、工业控制及消费电子产品领域具有显著的优势。其紧凑的封装、高效率以及广泛的适用性使其成为理想的功率管理元件选择。我们强烈推荐此产品,尤其是在需要高效率和低功耗的应用场合中。

NVMFS5C460NLWFAFT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 21A,78A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 23nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 35A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
最大功率耗散 3.6W(Ta),50W(Tc)
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVMFS5C460NLWFAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C460NLWFAFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C460NLWFAFT1G NVMFS5C460NLWFAFT1G数据手册

NVMFS5C460NLWFAFT1G封装设计

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