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NVMFS6B14NLT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),94W(Tc) 16V 3V@ 250µA 8nC@ 4.5 V 1个N沟道 100V 13mΩ@ 20A,10V 11A,55A 1.68nF@25V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFS6B14NLT3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6B14NLT3G

NVMFS6B14NLT3G概述

    NVMFS6B14NL Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVMFS6B14NL 是一款来自 ON Semiconductor 的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要特点是小体积设计(5x6mm)以适应紧凑的空间需求,低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,以及低栅极电荷(QG)和电容以减少驱动损耗。该产品还提供湿法可焊侧翼(Wettable Flank)选项,用于增强光学检测。此外,该产品已通过 AEC-Q101 资格认证并具备生产件批准程序(PPAP)能力,适用于汽车应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±16V
    - 连续漏极电流 (ID): TC=25°C 时为 55A;TC=100°C 时为 39A
    - 功率耗散 (PD): TC=25°C 时为 94W;TC=100°C 时为 47W
    - 单脉冲漏极峰值电流 (IDM): TA=25°C,tp=10µs 时为 140A
    - 工作结温 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 100V (VGS=0V,ID=250µA)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): TJ=25°C 时为 25µA;TJ=125°C 时为 250µA
    - 栅源漏电流 (IGSS): VDS=0V,VGS=16V 时为 100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS=10V,ID=20A 时为 10.5mΩ 至 13mΩ;VGS=4.5V 时为 15.5mΩ 至 19mΩ
    - 电容特性
    - 输入电容 (CISS): VGS=0V,f=1MHz,VDS=25V 时为 1680pF
    - 输出电容 (COSS): 580pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 42pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): VGS=4.5V,VDS=50V,ID=25A 时为 8nC

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸: 采用 5x6mm 的小尺寸封装,适合紧凑型设计。
    - 低导通电阻: 最大导通电阻仅为 13mΩ(VGS=10V),显著减少传导损耗。
    - 低栅极电荷: 总栅极电荷仅为 8nC,有效降低驱动损耗。
    - 湿法可焊侧翼: 增强光学检测能力,提升产品质量。
    - AEC-Q101 资格认证: 适合汽车电子应用。
    - 无铅且符合 RoHS 标准: 环保可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: NVMFS6B14NL 主要应用于汽车电子系统中的开关电源管理,如车载充电器、逆变器等。
    - 使用建议: 在高温环境下使用时,应注意散热,确保其在安全范围内运行。对于高频应用,需要关注其开关特性和寄生电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准 SO-8FL 封装兼容,便于集成到现有电路中。
    - 支持: ON Semiconductor 提供详细的技术文档和在线支持,帮助用户进行产品选型和应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致设备失效。
    - 解决方法: 确保良好的热管理,使用散热片或散热器,并遵循推荐的工作温度范围。
    - 问题: 开关频率过快导致损耗增加。
    - 解决方法: 适当调整栅极电阻 (RG),以控制开关速度,从而减少开关损耗。
    - 问题: 高压下击穿电压不稳定。
    - 解决方法: 确保 VGS 保持在规定范围内,并注意环境温度的影响。

    7. 总结和推荐


    综合评估: NVMFS6B14NL 是一款具有高性价比和广泛应用的高性能功率 MOSFET。其低导通电阻和低栅极电荷使其非常适合高频和高密度的应用场景。同时,其良好的温度特性和可靠的封装使其成为工业和汽车电子系统的理想选择。
    推荐使用: 我强烈推荐使用 NVMFS6B14NL。它在可靠性、性能和适用性方面都表现出色,适用于多种严苛的应用环境。

NVMFS6B14NLT3G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 11A,55A
栅极电荷 8nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 16V
最大功率耗散 3.8W(Ta),94W(Tc)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.68nF@25V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6B14NLT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6B14NLT3G数据手册

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NVMFS6B14NLT3G封装设计

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