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HUFA75309D3S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 55W(Tc) 20V 4V@ 250µA 24nC@ 20 V 1个N沟道 55V 70mΩ@ 19A,10V 19A 350pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-HUFA75309D3S
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUFA75309D3S

HUFA75309D3S概述

    电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    本产品是HUFA75309P3、HUFA75309D3和HUFA75309D3S系列的N沟道超结功率MOSFET(N-Channel UltraFET Power MOSFETs)。
    主要功能:
    这些MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造,具备出色的低电阻特性。其主要功能包括承受高能量雪崩模式下的电压、极低的反向恢复时间和存储电荷。
    应用领域:
    适合用于需要高效率的应用场合,如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关及便携式和电池供电产品的电源管理。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):55V
    - 栅漏电压(VDGR):55V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID):19A
    - 脉冲漏电流(IDM):55A
    - 雪崩脉冲额定值(EAS):见图6,14,15
    - 功耗(PD):0.37W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C至175°C
    - 最大焊接温度(TL):300°C
    - 最大焊接时间(Tpkg):260°C
    电气规格:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):55V
    - 零栅源漏电流(IDSS):1μA
    - 栅源漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅源阈值电压(VGS(TH)):2-4V
    - 漏源导通电阻(rDS(ON)):0.060-0.070Ω
    - 热阻(Junction to Case, RθJC):2.7°C/W
    - 热阻(Junction to Ambient, RθJA):TO-220为62°C/W,TO-251和TO-252为100°C/W
    - 开关规格(VGS = 10V):
    - 开启时间(tON):70ns
    - 开启延迟时间(td(ON)):7ns
    - 上升时间(tr):39ns
    - 关闭延迟时间(td(OFF)):24ns
    - 下降时间(tf):30ns
    - 关闭时间(tOFF):80ns
    - 门电荷规格:
    - 总门电荷(Qg(TOT)):20-24nC
    - 10V时的门电荷(Qg(10)):11-13.5nC
    - 阈值门电荷(Qg(TH)):0.68-0.85nC
    - 栅源门电荷(Qgs):1.8nC
    - 反向转移电容(Qgd):5nC
    - 容量规格:
    - 输入电容(CISS):350pF
    - 输出电容(COSS):150pF
    - 反向转移电容(CRSS):39pF
    - 源到漏二极管规格:
    - 源漏二极管电压(VSD):1.25V
    - 反向恢复时间(trr):50ns
    - 反向恢复电荷(QRR):70nC

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 极低的漏源导通电阻(rDS(ON)),可实现高效率
    - 高耐压能力(55V),适用于高压环境
    - 快速开关特性,确保高效能转换
    - 出色的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行
    优势:
    - 采用UltraFET®工艺,具备业界领先的性能
    - 高能效,适合多种工业和消费电子产品
    - 广泛的温度适应性,适用于严苛环境
    - 符合汽车级标准,适用于汽车电子领域

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关调节器:在高效率电源转换中,确保较低的功耗损失
    - 开关转换器:在高频应用中,保持稳定的电流输出
    - 电机驱动器:在驱动电动机时,提供可靠的电流控制
    - 继电器驱动器:在高电流环境下,提供快速响应
    - 低电压总线开关:确保低电压电路的稳定运行
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到产品的开关速度和低电阻特性,尽量减少寄生电感和电容的影响
    - 注意散热设计,确保在高功率状态下,能够有效地将热量散发出去
    - 根据实际应用环境选择合适的封装类型(TO-220AB、TO-251AA、TO-252AA)

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    该产品与各类表面贴装组件兼容,支持使用自动化焊接设备进行安装。
    支持和服务:
    Fairchild Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,如焊接指南(TB334)。此外,公司还提供了在线仿真模型(PSPICE和SABER模型)以帮助设计人员进行模拟和验证。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 漏电流过大
    - 解决方案:检查连接是否正确,确保没有短路现象。必要时更换其他批次的产品。
    2. 温度过高导致性能下降
    - 解决方案:改善散热设计,确保电路板有足够的散热空间。可以考虑增加散热片或者风扇来加强散热。
    3. 电路不启动
    - 解决方案:检查电源电压是否符合要求,确保输入电压在规定范围内。同时检查电路板是否有断开的情况。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高耐压能力和低电阻特性
    - 快速的开关特性和低功耗
    - 高可靠性,适用于高压、高温环境
    - 缺点:
    - 需要较复杂的散热设计
    推荐使用:
    综上所述,该产品在各种应用场景中表现出色,尤其是在高效率电源管理和高速开关电路中。建议在设计高效能电源转换系统时使用这款产品,它能够显著提升系统的整体性能。

HUFA75309D3S参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 19A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 55V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 24nC@ 20 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
最大功率耗散 55W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 19A,10V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

HUFA75309D3S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUFA75309D3S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUFA75309D3S HUFA75309D3S数据手册

HUFA75309D3S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1865 ¥ 1.605
1000+ $ 0.1812 ¥ 1.5314
5000+ $ 0.1812 ¥ 1.5314
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