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NTTFS5D9N08HTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOSFET管 NTTF系列, Vds=80 V, 84 A, PQFN8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: NTTFS5D9N08HTWG
供应商: 国内现货
标准整包数: 25
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS5D9N08HTWG

NTTFS5D9N08HTWG概述


    产品简介


    NTTFS5D9N08H MOSFET - 单个N沟道器件
    NTTFS5D9N08H是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为多种电源管理和转换应用设计。此器件具有超低导通电阻(RDS(on))和高效率特性,使其适用于多种应用场合,如直流到直流降压转换器、负载开关及点负载应用等。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS):80V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):84A(在25°C时)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):535A
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):80V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 5.9 mΩ @ 10V
    - 9 mΩ @ 6V
    - 最大功率耗散 (PD):100W(在25°C时)
    - 最大接点至外壳热阻 (RθJC):1.5°C/W
    - 最大接点至环境热阻 (RθJA):54.8°C/W

    产品特点和优势


    NTTFS5D9N08H的主要特点包括:
    - 超低导通电阻:在10V栅源电压下,RDS(on)仅为5.9mΩ,在6V时为9mΩ,这使得它成为高效能电力管理的理想选择。
    - 高耐压能力:能够承受高达80V的漏源电压。
    - 高可靠性:采用无铅、无卤素材料,符合RoHS标准,确保长期可靠运行。
    - 适用广泛:适合各种直流电源应用,例如DC-DC降压转换器、点负载应用和高效率负载开关等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流到直流降压转换器:这种器件适用于电源转换器中,能够在高效转换的同时保持较低的能耗。
    2. 点负载应用:在需要高电流密度的应用中,这款MOSFET可以提供出色的性能。
    3. 负载开关:对于需要高可靠性和低功耗的应用,这款器件是理想的解决方案。
    使用建议
    - 在使用时应确保散热良好,特别是在大电流情况下。
    - 为了最大限度减少电磁干扰(EMI),建议使用栅极电阻进行驱动优化。
    - 需要特别注意在高温环境下工作的器件散热问题,以避免过热导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET与多种电源管理系统兼容,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持服务:厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括设计指南和技术问答等资源,以便用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温下工作时出现不稳定现象。
    - 解决办法: 确保良好的散热措施,避免器件过热。可以考虑使用散热片或其他冷却方法来改善散热性能。
    2. 问题: 设备在高脉冲电流条件下表现不佳。
    - 解决办法: 调整驱动电路,确保栅极电阻设置合理,以防止过高的电流冲击。
    3. 问题: 设备在长时间工作后出现性能下降。
    - 解决办法: 检查电路设计和布线,确保所有连接牢固且散热良好。

    总结和推荐


    NTTFS5D9N08H MOSFET是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于各种电源管理应用。其超低导通电阻和高耐压能力使它成为高效能转换的理想选择。结合厂商提供的详细技术支持和资源,这款产品能够满足复杂应用场景的需求。综上所述,强烈推荐使用这款MOSFET,特别是对于需要高效率和高可靠性电源管理的项目。

NTTFS5D9N08HTWG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5.9mΩ@ 23A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.04nF@40V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.7W(Ta),100W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 120µA
栅极电荷 31nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 84A
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS5D9N08HTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS5D9N08HTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG数据手册

NTTFS5D9N08HTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 11.1221
750+ ¥ 10.7876
1500+ ¥ 10.4643
3000+ ¥ 7.9875
6000+ ¥ 7.7481
12000+ ¥ 7.5937
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