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NTMJS0D9N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 330 A, LFPAK8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: Q-NTMJS0D9N04CLTWG
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMJS0D9N04CLTWG

NTMJS0D9N04CLTWG概述

    电子元器件技术手册:NTMJS0D9N04CL MOSFET

    1. 产品简介


    NTMJS0D9N04CL 是一款由半导体组件工业公司(Semiconductor Components Industries, LLC)生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有 40V 的最大耐压和 330A 的连续漏极电流,其主要功能是作为开关电源中的关键元件。这类器件广泛应用于电源管理、电动车辆驱动系统以及各种需要高效能开关的应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 最大漏极连续电流(ID):
    - TC=25°C:330A
    - TC=100°C:230A
    - 功率耗散(PD):
    - TC=25°C:167W
    - TC=100°C:83W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):40V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V,ID=50A:0.82mΩ
    - VGS=4.5V,ID=50A:1.2mΩ
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):
    - VGS=4.5V,VDS=20V,ID=50A:66nC
    - VGS=10V,VDS=20V,ID=50A:143nC
    - 反向恢复时间(tRR):79.5ns
    - 反向恢复电荷(QRR):126nC
    - 热阻抗
    - 结到外壳热阻(RJC):0.9°C/W
    - 结到环境热阻(RJA):36°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑型设计:采用 5x6mm 小尺寸封装,适合紧凑空间的设计需求。
    - 低导通电阻:RDS(on) 低至 0.82mΩ,显著减少传导损耗。
    - 低栅极电荷和电容:QG 和电容较低,减少驱动损耗。
    - 行业标准封装:LFPAK8 封装,符合行业标准,确保可靠性和一致性。
    - 环保材料:无铅、无卤素/溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准,适用于绿色环保要求较高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:NTMJS0D9N04CL 常用于电动车充电器、LED 驱动器和通信设备的电源管理模块。例如,在电动车充电器中,该 MOSFET 能有效处理高功率需求,同时降低能耗。

    - 使用建议:
    - 在使用过程中,应特别注意栅极驱动电路的设计,避免过高的栅极电压导致损坏。
    - 结合散热设计,避免长时间高负载运行造成过热。
    - 定期检测和维护,确保长期可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMJS0D9N04CL 与大多数常见的 PCB 设计和焊盘布局兼容,可以轻松集成到现有设计中。
    - 支持和服务:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括数据手册、应用指南和在线技术支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何正确选择栅极电阻?
    - 解决方案:根据应用的具体需求选择合适的栅极电阻,建议参考数据手册中的推荐值。过高或过低的栅极电阻都可能导致开关速度不理想或损耗增加。
    - 问题 2:如何处理过热问题?
    - 解决方案:通过有效的散热设计(如增加散热片或风扇),确保器件在允许的工作温度范围内运行。同时,监控工作状态,必要时调整负载条件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTMJS0D9N04CL N 沟道 MOSFET 在紧凑设计、低损耗和高可靠性方面表现出色。其独特的功能和优势使其在电源管理和电动汽车等领域具有广泛的适用性和市场竞争力。对于需要高效能、高可靠性的应用,推荐使用 NTMJS0D9N04CL。然而,在选择和使用过程中,务必遵循正确的安装和使用指南,以充分发挥其性能。

NTMJS0D9N04CLTWG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 190µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 50A,330A
Rds(On)-漏源导通电阻 820μΩ@ 50A,10V
栅极电荷 143nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.862nF@25V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
长*宽*高 5mm(长度)
通用封装 LFPAK-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMJS0D9N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMJS0D9N04CLTWG数据手册

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NTMJS0D9N04CLTWG封装设计

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