处理中...

首页  >  产品百科  >  NTMFS4C08NT1G

NTMFS4C08NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 760mW(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 18.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 18A,10V 9A,52A 1.113nF@15V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: 30C-NTMFS4C08NT1G SO-FL-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C08NT1G

NTMFS4C08NT1G概述

    NTMFS4C08N MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTMFS4C08N 是一款单片N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),封装形式为SO-8FL。它设计用于CPU电源分配、DC-DC转换器等多种应用场合。此款MOSFET具有低导通电阻、低电容、优化的栅极电荷等特点,有助于降低驱动损耗和开关损耗。

    2. 技术参数


    NTMFS4C08N 的关键技术规格如下:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 16.4 / 12.3 / 25.3 / 19.0 A |
    | 功率耗散 | PD | 2.51 / 6.0 / 0.76 / 25.5 W |
    | 瞬态脉冲漏电流 | IDM | 144 | A |
    | 瞬态脉冲源电流 | ISM | 560 | A |
    | 最大漏电流 | IDmax | 80 | A |
    | 接触及存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 to +150 °C |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 1.3 - 2.1 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 5.8 mΩ @ 10 V / 8.5 mΩ @ 4.5 V |
    | 输入电容 | CISS | 1113 - 1670 pF |
    | 输出电容 | COSS | 702 pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 39 pF |
    | 栅极电荷 | QG(TOT) | 8.4 / 18.2 nC |
    | 开关延迟时间 | td(ON) | 7.0 / 9.0 ns |
    | 上升时间 | tr | 26 / 33 ns |
    | 关断延迟时间 | td(OFF) | 19 / 15 ns |
    | 下降时间 | tf | 3.0 / 4.0 ns |

    3. 产品特点和优势


    NTMFS4C08N 具有以下优势:
    - 低RDS(on):最小化导通损耗,典型值为5.8 mΩ(10V)和8.5 mΩ(4.5V)。
    - 低电容:最小化驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷:最小化开关损耗。
    - 无铅、无卤素、无BFR、符合RoHS标准:环保且符合行业标准。
    - 高可靠性:通过严格测试保证产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS4C08N 主要应用于:
    - CPU电源分配
    - DC-DC转换器
    使用建议:
    - 在CPU电源分配系统中,确保适当的散热设计以保持MOSFET的稳定运行。
    - 在DC-DC转换器应用中,优化电路布局,减少寄生电感和电容,以提高效率。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS4C08N 封装形式为SO-8FL,兼容其他相同封装的MOSFET产品。供应商提供详细的技术支持和产品文档,可以通过官方网站获取最新的技术支持和产品信息。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致MOSFET失效 | 添加外部散热器或增大PCB散热面积 |
    | 开关速度慢 | 优化栅极电阻值 |
    | 导通电阻异常 | 检查焊接质量和连接是否良好 |

    7. 总结和推荐


    NTMFS4C08N 是一款高效、可靠的MOSFET,非常适合需要高性能功率管理的应用场景。其独特的低RDS(on)、低电容和优化的栅极电荷设计,使其成为DC-DC转换器和CPU电源分配系统的理想选择。强烈推荐在上述应用场景中采用此产品。
    以上是关于NTMFS4C08N MOSFET的全面技术手册解析,希望能够帮助您更好地了解和应用这款高性能功率MOSFET。

NTMFS4C08NT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.113nF@15V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 9A,52A
栅极电荷 18.2nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 18A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
最大功率耗散 760mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C08NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C08NT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08NT1G数据手册

NTMFS4C08NT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.101
100+ ¥ 1.738
750+ ¥ 1.518
1500+ ¥ 1.32
库存: 2185
起订量: 1 增量: 1500
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0