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NVMFS040N10MCLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),36W(Tc) 3V@ 26µA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 100V 38mΩ@ 5A,10V 6.5A;21A 500pF@50V SO-8FL 贴片安装
供应商型号: 4257652
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS040N10MCLT1G

NVMFS040N10MCLT1G概述

    NVMFS040N10MCL MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVMFS040N10MCL 是一款 N-通道功率 MOSFET,适用于紧凑型设计和高能效应用。该产品具有小尺寸封装(5x6mm),适用于汽车和其他需要高性能功率管理的应用领域。它的关键功能包括低导通电阻和低栅极电荷,以减少驱动器损耗和提高整体效率。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 21 | A (25°C) |
    ID | 15 | A (100°C) |
    | 功耗 | PD | 36 | W (25°C) |
    PD | 18 | W (100°C) |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 94 | A (25°C) |
    | 最大工作温度范围 | TJ, Tstg | -55~+175 | °C |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | 1 | μA (25°C) |
    IDSS | 100 | μA (125°C) |
    | 栅源漏电流 | IGSS | 100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 38 | mΩ (10 V) |
    RDS(on) | 53 | mΩ (4.5 V) |

    产品特点和优势


    1. 小尺寸封装:5x6mm 的小型封装,非常适合需要紧凑设计的应用。
    2. 低导通电阻:最小化传导损耗,RDS(on) 在 10 V 下为 38 mΩ。
    3. 低栅极电荷:总栅极电荷(QG)低至 4.0 nC,有助于降低驱动器损耗。
    4. 符合 AEC-Q101标准:通过严格的汽车行业认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。
    5. 无铅材料:环保材料,符合 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    NVMFS040N10MCL 广泛应用于汽车电子系统,例如电池管理系统和电机控制。此外,它也适合于工业应用中的开关电源和电机驱动。
    使用建议:
    1. 确保 PCB 设计中散热良好,特别是在高电流和高温环境下。
    2. 注意电源和接地布局,避免信号干扰和噪声。
    3. 使用适当的栅极电阻来优化开关速度,防止过冲和振铃。

    兼容性和支持


    该产品与标准的 DFN5 和 SO-8FL 封装兼容。制造商提供了丰富的技术支持资源,包括详细的订购信息和标记说明。如需进一步的技术支持,请联系当地的销售代表或访问官方网站。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻(RDS(on))过高
    - 解决方案:检查是否超过了最大额定值(如漏电流),确保正确安装和散热。
    2. 问题:脉冲漏电流过高
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有元件都能承受预期的脉冲负载。

    总结和推荐


    NVMFS040N10MCL 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,适用于多种高能效应用。其显著的低导通电阻和小封装使其成为紧凑设计的理想选择。尽管价格较高,但其优异的电气特性和可靠性使其成为许多应用的首选。强烈推荐在要求高效和紧凑设计的项目中使用此产品。
    通过上述详细分析,可以看出 NVMFS040N10MCL 在技术参数和性能方面均表现出色,尤其是在小型化和高能效方面具有明显优势。希望这份技术手册解析能帮助您更好地了解和应用这款 MOSFET。

NVMFS040N10MCLT1G参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 26µA
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 6.5A;21A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 3.5W(Ta),36W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 5A,10V
通用封装 SO-8FL
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NVMFS040N10MCLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS040N10MCLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G数据手册

NVMFS040N10MCLT1G封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 3.3561
10+ ¥ 2.5425
100+ ¥ 2.2781
500+ ¥ 2.2374
1500+ ¥ 2.2374
4500+ ¥ 2.1967
12000+ ¥ 2.1967
22500+ ¥ 2.1967
库存: 1455
起订量: 20 增量: 0
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